[实用新型]半球谐振陀螺读出基座结构有效
申请号: | 201420834925.1 | 申请日: | 2014-12-25 |
公开(公告)号: | CN204255364U | 公开(公告)日: | 2015-04-08 |
发明(设计)人: | 杨勇;方针;余波;蒋春桥;彭慧 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 |
主分类号: | G01C19/56 | 分类号: | G01C19/56 |
代理公司: | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人: | 李海华 |
地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半球 谐振 陀螺 读出 基座 结构 | ||
技术领域
本实用新型涉及半球谐振陀螺敏感表头部件,具体指敏感表头读出基座的结构设计,用于提高半球谐振陀螺读出基座的可靠性,属于半球谐振陀螺技术领域。
背景技术
半球谐振陀螺与传统陀螺相比有很多优点,特别是具有结构简单、无磨损部件和无运动部件等独特优势,近年来已经受到国内外惯性领域的高度重视,是未来最具有发展前景的陀螺仪之一。
半球谐振陀螺敏感表头由激励罩1、读出基座3和谐振子5三部件精密装配而成,激励罩1内设有激励电极2,如图1所示,谐振子5内表面与读出基座3外表面八个读出电极4形成小的电容。在静电力驱动谐振子产生振动的同时,通过读出电极4和谐振子5电容之间的变化,检测谐振子的振动位移,提取谐振子的幅度、相位、频率等控制信号。读出基座3设计的结构、与谐振子5之间的电容变化直接关联到谐振子的幅度、相位等控制信号的提取,影响整个敏感表头的性能和可靠性。
半球谐振陀螺读出基座球面通过分隔槽分隔成八部分,每部分镀上金属膜层,形成八个独立的电极,然后通过激光刻蚀技术在金属膜层上进行电极分割,其分割图形为圆形,称为读出电极,与谐振子内球面形成电容,圆形外部的金属膜层作为电极屏蔽形成屏蔽电极。现有读出基座结构及工艺处理方法存在以下缺点:
1、各个读出电极中间的分割槽导致机械加工工艺繁琐,各棱边由于加工、运输、装配等原因造成微小颗粒多余物的产生。
2、读出基座的分割槽在镀膜时,需要通过夹具的设计保证没有膜层或者少量的膜层涂覆在分割槽内,以保证八个电极相互绝缘,因此分割槽需要遮挡和屏蔽,造成镀膜夹具设计复杂;同时夹具装配过程中容易产生微裂纹和崩边现象,或者由于装配间隙过大,在镀膜时影响读出基座表面金属层的涂覆。
3、读出电极的圆形结构受限,有效面积较小,影响半球谐振陀螺的增益稳定性。
4、读出基座的机械加工、镀膜等工艺增加了额外的难度,影响该器件的成品率,同时降低了加工效率。
发明内容
针对现有技术存在的上述不足,本实用新型的目的在于提供一种半球谐振陀螺读出基座结构,本实用新型操作简单,缩短加工工序和镀膜工序时间,减小多余物的产生,大大提高读出基座生产效率和成功率,能够提高半球谐振陀螺的性能。
为了实现上述目的,本实用新型采用的技术方案如下:
一种可靠性提高的半球谐振陀螺读出基座结构,包括球形壳体,所述球形壳体在圆周上连接为一体并形成平滑的表面,在球形壳体表面上镀有金属膜层,在金属膜层上等距离刻蚀有八条分隔线,以将金属膜层在径向上分隔为八个彼此绝缘的区域,在每个区域的金属膜层上刻蚀有读出电极,每个区域读出电极外的金属膜层形成屏蔽电极。
所述读出电极形状为梯形或者扇环形状,且梯形的腰尽可能向外部延伸。
相比现有技术,本实用新型具有如下有益效果:
1、取消分割槽,保持完整的球形壳体,简化加工工艺,减小多余物的产生源,提高读出基座的可靠性。
2、由于球形壳体表面整体镀膜,故镀膜夹具设计简单,夹具装配和镀膜过程中不会产生裂纹和崩边的现象,提高了读出基座的稳定性。
3、能够减小镀膜夹具和读出基座的装配工艺误差,装配间隙得到有效控制,读出基座表面涂覆金属层的均匀性、批次性和一致性保持良好。
4、取消分割槽,有利于增大屏蔽电极的表面积,其读出电极的有效面积也相应增大,提高了陀螺的增益稳定性。
5、减小读出基座的机械加工、镀膜工艺的难度,提高器件的加工效率和成品率。
总之,本实用新型满足半球谐振陀螺仪对读出基座所要求的各项性能参数,提高陀螺的可靠性,降低了读出基座的生产成本,操作简单方便,缩短读出基座生产的时间。
附图说明
图1-半球谐振陀螺敏感表头结构示意图。
图2-本实用新型读出基座电极优化结构图。
具体实施方式
本实用新型优化半球谐振陀螺的读出基座结构,减少加工步骤,简化镀膜工艺,将读出基座八个屏蔽电极之间的分割槽取消,将其球面壳体做成一体化状态。针对新结构读出基座,简化镀膜夹具和镀膜工艺,镀膜夹具设计成整体性和一致性,减少镀膜工艺时间。在具体激光刻蚀工艺过程中,改变读出电极的图形,由原来的圆形改变为梯形或者扇环形图形,增大有效面积。同时屏蔽电极的绝缘采用激光刻蚀技术将其物理隔离,防止相互的耦合和干扰,其优化结构如图2所示。
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