[实用新型]一种铝基座和LED元件

说明书

技术领域

本实用新型涉及照明领域，尤其涉及一种铝基座和LED元件。

背景技术

现有的铝基座通常使用在LED器件上，由于LED器件对电击穿特性有特殊的要求，使得铝基座上通常会设置一个介质氧化膜层来增加铝基座的电击穿特性，使得镀膜后的铝基座能满足大部分LED器件的工作场所。

但是，现有的LED器件有时会在在电压超过5000V的特点场所进行工作，而现有的铝基座的介质氧化膜层在5000V的电压下会被击穿，会出现漏电、短路的问题，从而使得现有的铝基座存在电击穿特性与高压场所不匹配的问题。

实用新型内容

本实用新型提供了一种铝基座和LED元件，能够使得铝基座的电击穿特性与高压场所相匹配，不会被高压场所的电压所击穿，降低出现漏电、短路的概率。

本实用新型实施例提供了一种铝基座，包括铝基板、介质氧化膜层和强化介质膜层，其中，所述介质氧化膜层设置在所述铝基板的表面上，所述强化介质膜层设置在所述介质氧化膜层的上表面，且所述介质氧化膜层和所述强化介质膜层的抗电击穿电压大于5000V。

可选的，所述强化介质膜层为原子层淀积ALD强化介质膜层。

可选的，所述介质氧化膜层具体为AL₂O₃膜层。

可选的，所述ALD强化介质膜层是在所述AL₂O₃膜层使用ADL技术进行膜层再生长而形成的同质膜层或异质膜层。

可选的，所述ALD强化介质膜层的厚度为0.4nm～50nm。

本申请另一实施例还提供了一种LED元件，包括：

LED本体；

铝基座，与所述LED本体连接，其中，所述铝基座包括铝基板、介质氧化膜层和强化介质膜层，所述介质氧化膜层设置在所述铝基板的表面上，所述强化介质膜层设置在所述介质氧化膜层的上表面，且所述介质氧化膜层和所述强化介质膜层的抗电击穿电压大于5000V。

通过一个实施例或多个实施例，本实用新型具有以下有益效果或者优点：

由于本申请实施例中的铝基座是在铝基板上设置介质氧化膜层和强化介质膜层，在所述介质氧化膜层上还设置所述强化介质膜层，使得所述介质氧化膜层和所述强化介质膜层的抗电击穿电压大于5000V，从而能够有效提高所述铝基座的电击穿特性，使得所述铝基座的电击穿特性与高压场所相匹配，不会被高压场所的电压所击穿，降低出现漏电、短路的概率。

附图说明

图1为本实用新型实施例中铝基座的结构图。

图中有关附图标记如下：

101——铝基板，102——介质氧化膜层，103——强化介质膜层。

具体实施方式

本实用新型提供了一种铝基座和LED元件，能够使得铝基座的电击穿特性与高压场所相匹配，不会被高压场所的电压所击穿，降低出现漏电、短路的概率。

下面具体结合附图对本申请的装置结构进行详细的描述，具体如下所述。

参见图1，本实用新型提供一种铝基座，包括铝基板101、介质氧化膜层102和强化介质膜层103，其中，介质氧化膜层102设置在铝基板101的表面上，强化介质膜层103设置在介质氧化膜层102的上表面，且介质氧化膜层102和强化介质膜层103的抗电击穿电压大于5000V。

具体的，强化介质膜层103可以为原子层淀积(atomic layer deposition，简称：ALD)强化介质膜层，进一步的，介质氧化膜层102具体可以为AL₂O₃膜层。

具体的，在强化介质膜层103为所述ALD强化介质膜层、且介质氧化膜层102为AL₂O₃膜层时，所述ALD强化介质膜层可以是在所述AL₂O₃膜层使用ADL技术进行膜层再生长而形成的同质膜层或异质膜层，其中，所述ALD强化介质膜层为同质膜层时，所述ALD强化介质膜层也ALD强化介质膜层；所述ALD强化介质膜层为异质膜层时，所述ALD强化介质膜层可以为HfO₂膜层、Ta₂O₅膜层、SiO₂膜层等。