[实用新型]一种铝基座和LED元件有效
| 申请号： | 201420814291.3 | 申请日： | 2014-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN204285387U | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 张庆钊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心 |
| 主分类号： | F21V25/00 | 分类号： | F21V25/00;F21V21/00;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 314000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基座 led 元件 | ||
【权利要求书】：
1.一种铝基座，其特征在于，包括铝基板、介质氧化膜层和强化介质膜层，其中，所述介质氧化膜层设置在所述铝基板的表面上，所述强化介质膜层设置在所述介质氧化膜层的上表面，且所述介质氧化膜层和所述强化介质膜层的抗电击穿电压大于5000V。
2.如权利要求1所述的铝基座，其特征在于，所述强化介质膜层为原子层淀积ALD强化介质膜层。
3.如权利要求2所述的铝基座，其特征在于，所述介质氧化膜层具体为AL2O3膜层。
4.如权利要求3所述的铝基座，其特征在于，所述ALD强化介质膜层是在所述AL2O3膜层使用ADL技术进行膜层再生长而形成的同质膜层或异质膜层。
5.如权利要求4所述的铝基座，其特征在于，所述ALD强化介质膜层的厚度为0.4nm～50nm。
6.一种LED元件，其特征在于，包括：
LED本体；
铝基座，与所述LED本体连接，其中，所述铝基座包括铝基板、介质氧化膜层和强化介质膜层，所述介质氧化膜层设置在所述铝基板的表面上，所述强化介质膜层设置在所述介质氧化膜层的上表面，且所述介质氧化膜层和所述强化介质膜层的抗电击穿电压大于5000V。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心，未经中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420814291.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种防水LED模组和用于LED模组的防水装置
- 下一篇：一种吊顶灯的连接结构
