[实用新型]用于射频芯片第一级的数控衰减器有效
| 申请号： | 201420796723.2 | 申请日： | 2014-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN204362011U | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 万佳;赵新强;李栋;谢李萍;韩文涛 | 申请（专利权）人： | 北京爱洁隆技术有限公司;万佳 |
| 主分类号： | H03H17/00 | 分类号： | H03H17/00 |
| 代理公司： | 北京中海智圣知识产权代理有限公司 11282 | 代理人： | 徐金伟 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 射频 芯片 一级 数控 衰减器 | ||
【权利要求书】：
1.用于射频芯片第一级的数控衰减器，其特征在于，包括：依次连接的输入端、电阻R2、旁路电路模块、6dB衰减模块、1dB衰减模块、2dB衰减模块、4dB衰减模块、8dB衰减模块、10dB衰减模块、电阻R39以及输出端。
2.根据权利要求1所述的用于射频芯片第一级的数控衰减器，其特征在于，所述6dB衰减模块、1dB衰减模块、2dB衰减模块、4dB衰减模块、8dB衰减模块和10dB衰减模块均采用Π型电阻衰减网络，控制开关采用衬底和源极短接的NMOS晶体管。
3.根据权利要求2所述的用于射频芯片第一级的数控衰减器，其特征在于，所述NMOS晶体管用N型深阱在版图上进行隔离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京爱洁隆技术有限公司;万佳;，未经北京爱洁隆技术有限公司;万佳;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420796723.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
