[实用新型]一种透明导电膜有效
申请号: | 201420761437.2 | 申请日: | 2014-12-04 |
公开(公告)号: | CN204348357U | 公开(公告)日: | 2015-05-20 |
发明(设计)人: | 杜成城;刘比尔 | 申请(专利权)人: | 汕头万顺包装材料股份有限公司光电薄膜分公司 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;B82Y10/00 |
代理公司: | 广州市深研专利事务所 44229 | 代理人: | 张喜安 |
地址: | 515078 广东省汕头市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 透明 导电 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种触摸式屏幕领域,尤其涉及一种用于触摸式屏幕的透明导电膜。
背景技术
目前,手机和平板电脑等越来越多的电子装置都采用触摸式屏幕,触摸屏作为一种新型的输出设备已十分流行和普遍,因此作为触摸屏必不可少的透明导电膜需求量也越来也大。其中,电阻式和电容式触摸屏较为常用。
作为阻抗膜式触摸面板或静电容量式触摸面板的透明电极基板,通常使用在玻璃板、透明树脂板、各种热塑性高分子膜等基材上层积了由含有氧化锡的铟氧化物(锡掺杂氧化铟,ITO)、氧化锌等金属氧化物形成的透明导电层而构成的基板。在通过这种方式得到的透明电极基板上,金属氧化物层的反射和吸收导致可见光短波长区域的透过率下降,所以透过透明电极基板的光有时呈黄色,即b*值(色度值)较大。因此,存在难以正确显示配置于触摸面板之下的显示装置发出的颜色的问题。
实用新型内容
鉴于以上所述,有必要提供一种能够抑制透过光着色的透明导电膜。
一种透明导电膜,所述透明导电膜包括依次叠设的基材层、滤光层、高折射率层、低折射率层和导电层,所述滤光层厚度为20纳米~500纳米之间,且可遮蔽或吸收太阳光中340奈米波段的紫外光3%以上,所述高折射率层的450纳米~700纳米波长下的折射率为1.63~1.75之间,厚度为45纳米~80纳米之间,所述低折射率层的450纳米~700纳米波长的折射率为1.33~1.65之间,且厚度为18纳米~42纳米,所述导电层的厚度为15纳米~46纳米之间,折射率为1.8~2.1之间。
进一步的,所述滤光层的折射率优选为40纳米~450纳米之间。
进一步的,所述高折射率层的折射率优选为1.68~1.73之间。
进一步的,所述导电层的厚度优选为20纳米~30纳米之间。
进一步的,所述透明导电膜还包括设置在所述基材层和高折射率层之间的硬涂层。
进一步的,所述硬涂层的厚度为0.5~6.0微米。
进一步的,所述硬涂层的折射率优选为1.48~1.56。
进一步的,所述透明导电膜还包括设置在所述基材层相对的另一侧的硬涂层。
进一步的,所述透明导电膜还包括设置在所述基材层相对的另一侧的第二滤光层、第二高折射率层、第二低折射率层及第二导电层。
相较于现有技术,本实用新型的透明导电膜通过合理设计各层的折射率和厚度,于可见光区域能够抑制透明导电膜颜色偏黄的情形,并可有效抑制紫外光与太阳辐射的影响,增加产品密著与抗黄变效果,使该透明导电膜可长时间于户外进行使用。
附图说明
图1是本实用新型透明导电膜的第一实施例的结构示意图;
图2是本实用新型透明导电膜的第二实施例的结构示意图;
图3是本实用新型透明导电膜的第三实施例的结构示意图;
图4是本实用新型透明导电膜的第四实施例的结构示意图。
具体实施方式
为详细说明本实用新型的技术内容、构造特征、所实现目的及效果,以下结合实施方式并配合附图详予说明。
本实用新型的透明导电膜的第一实施例,请参阅图1,所述透明导电膜10包括依次叠设的基材层11、滤光层12、高折射率层13、低折射率层14和导电层15,所述滤光层12的厚度为20纳米~500纳米以下,且可遮蔽或吸收太阳光中340奈米波段的紫外光5%以上,所述高折射率层13的450纳米~700纳米波长下的折射率为1.65~1.75之间,厚度为45纳米~80纳米之间,所述低折射率层14的450纳米~700纳米波长的折射率为1.33~1.65之间,且厚度为18纳米~42纳米,所述导电层15的厚度为15纳米~46纳米之间,折射率为1.8~2.1之间。
所述基材层11为可透光材质,且表面均匀且平整,其材质可例如为PET(聚酯对苯二甲酸乙二酯)基材层;
所述滤光层的折射率优选为40纳米~450纳米之间,滤光层12用于增强透明薄膜抗UV与抗太阳辐射特性的密著性、涂层黄化等缺陷,具体为通过涂布法、印刷法等方式将抗太阳辐射涂料颗粒附着在一透明薄膜上,抗太阳辐射层能将5%以上的远红外线和紫外线反射或吸收,且能有效防止老化。
所述高折射率层13的折射率优选为1.68~1.73之间。
所述低折射率层14的材料为二氧化硅(SiO2)。
所述导电层15为ITO(Indium Tin Oxides、铟锡氧化物)导电层,其厚度优选为20纳米~30纳米之间。
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