[实用新型]液晶屏

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种液晶屏。

背景技术

液晶显示宽视角技术分为两大类，一类是水平电场技术，即液晶屏中对液晶所施加的电场基本平行于玻璃基板；另一类是垂直电场技术，即液晶屏中对液晶所施加的电场垂直于玻璃基板。

上述的两类液晶显示宽视角技术都在液晶显示的产品中得到了广泛应用。其中，采用垂直电场技术的液晶电视的数量要占总的液晶电视数量的70％～80％。液晶电视的显示屏采用液晶屏，其中，在采用垂直电场技术的液晶屏中，液晶排列通常采用垂面排列(vertically aligned)，常常采用凸起结构来控制液晶分子的取向方向。

但是，液晶屏对凸起结构的大小、高低和数量有一定的要求，在维持凸起结构的大小、高低一定时，需要加强凸起结构对液晶分子的取向的控制作用。

实用新型内容

本实用新型的实施例提供一种液晶屏，为了解决现有技术中需要加强凸起结构对液晶分子的取向的控制作用的问题。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

一种液晶屏，用于垂面排列液晶显示，包括彩膜基板和阵列基板，所述彩膜基板和/或阵列基板上设有凸起结构，所述凸起结构的周围设有凹槽。

优选地，所述凸起结构和/或凹槽位于所述彩膜基板上的预设层上；

所述凸起结构的所在层位于所述凹槽的所在层的上方；

或者，所述凸起结构的所在层与所述凹槽的所在层为同一层；

或者，所述凸起结构的所在层位于所述凹槽所在层的下方。

优选地，所述凸起结构和/或凹槽位于所述阵列基板上的预设层上；

所述凸起结构的所在层位于所述凹槽的所在层的上方；

或者，所述凸起结构的所在层与所述凹槽的所在层为同一层；

或者，所述凸起结构的所在层位于所述凹槽所在层的下方。

其中，所述凸起结构和/或凹槽的立体形状包括长方体、立方体、多边体、半球体或其他不规则立体形状。

其中，所述彩膜基板包括彩膜层、位于彩膜层上的平坦层、位于平坦层上的公共电极层；

所述凸起结构位于所述公共电极层上，所述凹槽位于所述平坦层上；

或者，所述凸起结构位于所述公共电极层上，所述凹槽位于所述彩膜层上；

或者，所述凸起结构位于所述平坦层上，所述凹槽位于所述平坦层上；

或者，所述凸起结构位于所述彩膜层上，所述凹槽位于所述彩膜层上。

优选地，所述彩膜基板包括彩膜层、位于彩膜层上的取向结构层、位于取向结构层上的公共电极层；所述凸起结构位于所述取向结构层上，所述凹槽位于所述取向结构层上。

优选地，所述阵列基板包括钝化层、位于所述钝化层上的像素电极；

所述凸起结构位于所述像素电极上，所述凹槽位于所述钝化层上；

或者，所述凸起结构位于所述钝化层上，所述凹槽位于所述钝化层上。

其中，所述阵列基板包括取向结构层、位于取向结构层上的像素电极；

所述凸起结构位于所述取向结构层上，所述凹槽位于所述取向结构层上。

优选地，所述凸起结构高度大于或等于0.5微米，小于或等于3.0微米；所述凹槽深度大于或等于0.5微米，小于或等于3.0微米。

其中，所述凹槽与所述凸起结构的距离大于或等于0微米小于或等于30.0微米。

优选地，所述阵列基板包括栅线、数据线、多个像素单元，每个所述像素单元包括第一亚像素电极和第二亚像素电极，所述第一亚像素电极和第二亚像素电极分别设置于所述像素单元对应的栅线的两侧；

所述凸起结构和凹槽位于所述彩膜基板上；所述凸起结构和所述凹槽的位置与所述栅线的位置至少部分重叠。

其中，所述阵列基板包括栅线、数据线、多个像素单元，每个所述像素单元包括第一亚像素电极和第二亚像素电极，所述第一亚像素电极和第二亚像素电极分别设置于所述像素单元对应的栅线的两侧；

所述凸起结构和凹槽位于所述阵列基板上；所述凸起结构和所述凹槽的位置与所述栅线的位置至少部分重叠。

本实用新型实施例提供的液晶屏中，由于凸起结构的周围设有凹槽，凹槽具有一定深度，从而能够强化凸起结构对液晶分子的取向的控制作用。由于可以通过增大凹槽的深度来实现强化液晶分子的取向的控制作用，因此，在制作凸起结构时，可以适当降低凸起结构的高度，从而大大降低工艺难度。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的一种液晶屏的俯视图；