[实用新型]一种垂直LED结构有效
申请号: | 201420735517.0 | 申请日: | 2014-11-28 |
公开(公告)号: | CN204216063U | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 张昊翔;丁海生;李东昇;江忠永 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/02 | 分类号: | H01L33/02;H01L33/10;H01L33/00 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 垂直 led 结构 | ||
1.一种垂直LED结构,其特征在于,包括:
独立发光半导体层,所述独立发光半导体层包括依次层叠的N型半导体层、有源层和P型半导体层;
形成于独立发光半导体层侧壁的高阻态离子注入层;
形成于所述P型半导体层上的独立接触层;
形成于所述独立接触层上的网状结构的DBR反射层;
形成于所述网状结构的DBR反射层及网状结构的DBR反射层暴露出来的独立接触层上的独立金属功能层;
与所述独立金属功能层组合在一起的基板,所述基板包括导电基板、形成于所述导电基板侧壁的隔离固定板以及形成于导电基板上的第一焊盘;以及
形成于所述N型半导体层上的第二焊盘。
2.如权利要求1所述的垂直LED结构,其特征在于,所述独立接触层的材料为ITO。
3.如权利要求1所述的垂直LED结构,其特征在于,所述独立金属功能层包括金属接触层、金属阻障层和金属电极层,所述金属接触层的材料为铬或镍,所述金属阻障层的材料为钛或镍,所述金属电极层的材料为铝。
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