[实用新型]基于VCSEL的高功率半导体激光器及其VCSEL激光器模组有效
| 申请号： | 201420681460.0 | 申请日： | 2014-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN204290035U | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 李阳;李德龙 | 申请（专利权）人： | 李德龙 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/42 |
| 代理公司： | 北京汲智翼成知识产权代理事务所(普通合伙) 11381 | 代理人： | 陈曦;王鹏丽 |
| 地址： | 100094 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 vcsel 功率 半导体激光器 及其 激光器 模组 | ||
1.一种VCSEL激光器模组，其特征在于包括多个VCSEL芯片组成的VCSEL芯片阵列和设置在所述VCSEL芯片阵列的出光面前方的内壁反射型光学传输器件；
所述VCSEL芯片阵列的出光面对经过目标物和所述内壁反射型光学传输器件反射回来的反射光线进行二次反射。
2.如权利要求1所述的VCSEL激光器模组，其特征在于：
所述内壁反射型光学传输器件的出射口面积小于入射口面积。
3.如权利要求1或2所述的VCSEL激光器模组，其特征在于：
所述内壁反射型光学传输器件的入射口全部覆盖且仅覆盖所述VCSEL芯片阵列的发光区域。
4.如权利要求1或2所述的VCSEL激光器模组，其特征在于：
所述VCSEL芯片阵列中，多个VCSEL芯片在一个平面内紧密排列，其出光面组成一个平面出光面。
5.如权利要求1或2所述的VCSEL激光器模组，其特征在于：
所述VCSEL芯片阵列中，多个VCSEL芯片相互成一定角度排列，多个VCSEL芯片的出光面构成一个以目标物为圆心的近似弧形的多边形出光面。
6.如权利要求1或2所述的VCSEL激光器模组，其特征在于：
所述内壁反射型光学传输器件是内壁抛光的反射镜筒。
7.如权利要求1或2所述的VCSEL激光器模组，其特征在于：
所述内壁反射型光学传输器件是基于内壁全反射的导光锥。
8.如权利要求7所述的VCSEL激光器模组，其特征在于：
所述导光锥的入射口和出射口蒸镀光学增透膜。
9.一种高功率半导体激光器，其特征在于包括权利要求1～8中任意一项所述的VCSEL激光器模组。
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