[实用新型]像素电路、显示基板和显示面板

说明书

技术领域

本实用新型涉及发光二极管显示领域，具体地，涉及一种像素电路、一种包括该像素电路的显示基板和一种包括该显示基板的显示面板。

背景技术

有机发光二极管(OLED)作为一种电流型发光器件已经越来越多地被应用于高性能显示中。传统的无源矩阵有机发光显示(Passive Matrix OLED)随着显示尺寸的增大，需要更短的单个像素驱动时间，因而需要增大瞬态电流，因此功耗较大。同时，大电流的应用会造成ITO线上压降过大，并使有机发光二极管工作电压过高，进而降低其效率。而有源矩阵有机发光显示(Active Matrix OLED)通过开关管逐行扫描输入有机发光二极管的电流可以很好地解决这些问题。

在大尺寸显示应用中，由于背板电源线存在一定电阻，且所有像素的驱动电流都由电源提供，因此，在背板中靠近电源供电位置区域的电源电压相比较远离供电位置的电源电压要高。这种现象被称作内阻压降(IR drop)。由于电源的电压会影响电流，因此，内阻压降也会造成不同区域的电流差异，进而在显示时产生云纹(mura)。

此外，在蒸镀形成有机发光二极管时，膜厚的不均匀也会造成电学性能的非均匀性。对于采用N型薄膜晶体管构建像素单元的非晶硅(a-Si)或氧化物薄膜晶体管工艺，其存储电容连接在驱动薄膜晶体管和发光二极管的阳极之间，在数据电压传输到栅极时，由于各像素的发光二极管的阳极电压不同，则实际加载在驱动薄膜晶体管上的Vgs不同，从而导致驱动电流不同，造成了实际的显示亮度差异。

可以按照下列公式(1)计算驱动电流：

IOLED=12μnCoxWL(Vdata-VOLED-Vthn)2---(1);]]>

其中，μ_n为第n个有机发光二极管的载流子迁移率；

C_ox为栅氧化层电容；

为有机发光二极管的宽长比；

V_data为数据电压；

V_OLED为有机发光二极管的工作电压，为所有像素单元共享；

V_thn为第n个驱动薄膜晶体管的阈值电压，对于增强型的驱动薄膜晶体管，V_thn为正值，对于耗尽型的驱动薄膜晶体管V_thn为负值。

由上式可知，如果不同像素单元的驱动薄膜晶体管之间的V_thn不同，这各个像素单元中的发光件的驱动电流存在差异，如果像素单元的驱动薄膜晶体管的阈值电压V_thn随时间发生漂移，则可能造成先后电流不同，导致残影。

因此，如何避免显示装置在显示时出现云纹、残影等问题成为本领域亟待解决的技术问题

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种像素电路和一种包括该像素电路的显示面板。包括所述像素电路的显示面板进行显示时，显示面板中发光件的电流不受阈值电压的影响。

为了实现上述目的，作为本实用新型的一个方面，提供一种像素电路，所述像素电路包括：

电源端；

控制薄膜晶体管，所述控制薄膜晶体管的第一极与所述电源端相连，且所述控制薄膜晶体管能够在所述像素电路的预充阶段、补偿阶段以及发光阶段导通；

驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管的第一极与所述控制薄膜晶体管的第二极相连；