[实用新型]改进的芯片型过电流与过电压保护组件有效
申请号: | 201420606543.3 | 申请日: | 2014-10-20 |
公开(公告)号: | CN204242984U | 公开(公告)日: | 2015-04-01 |
发明(设计)人: | 廖世昌;王瑞莹 | 申请(专利权)人: | 佳邦科技股份有限公司 |
主分类号: | H01H85/041 | 分类号: | H01H85/041 |
代理公司: | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人: | 王立民;张应 |
地址: | 中国台湾苗*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 改进 芯片 电流 过电压 保护 组件 | ||
1.一种改进的芯片型过电流与过电压保护组件,其于一基板的上表面形成一电极层,该电极层包括多个分隔的电极部,该电极层的上方经一黏着层黏着一受热后可熔融的熔丝片,该熔丝片位于多个所述电极部的上方;基板上并设有一通电后可发热的发热体,该发热体于发热后可将热量传达至熔丝片,使熔丝片受热呈熔融状;其特征在于:所述电极部的边缘具有弧形缘,使熔丝片受热熔融而于多个所述电极部的上表面流动时,可利用电极部边缘的弧形缘,使熔融流动的熔丝片因接触该弧形缘而确实断离;所述熔丝片的上方又设置一可当作蓄热层的保护层。
2.如权利要求1所述的改进的芯片型过电流与过电压保护组件,其特征在于,其中电极层的多个分隔电极部之间设有隔离层,该隔离层可用以使熔断后的熔融熔丝不致接触基板表面。
3.如权利要求2所述的改进的芯片型过电流与过电压保护组件,其特征在于,其中电极层的表面形成有一接口层。
4.如权利要求3所述的改进的芯片型过电流与过电压保护组件,其特征在于,其中接口层为锡或锡合金材料。
5.如权利要求1至4任一项所述的改进的芯片型过电流与过电压保护组件,其特征在于,其中电极部的边缘全部为弧形缘。
6.如权利要求1至4任一项所述的改进的芯片型过电流与过电压保护组件,其特征在于,其中电极部的弧形缘可形成于电极部的一侧或两侧。
7.如权利要求1至4任一项所述的改进的芯片型过电流与过电压保护组件,其特征在于,其还设有一绝缘盖体。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳邦科技股份有限公司,未经佳邦科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420606543.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高原V型BRD熔断器
- 下一篇:一种热脱扣调节组件