[实用新型]一种PERC太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201420600172.8 申请日: 2014-10-16
公开(公告)号: CN204179095U 公开(公告)日: 2015-02-25
发明(设计)人: 吴坚;王栩生 申请(专利权)人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;盐城阿特斯协鑫阳光电力科技有限公司
主分类号: H01L31/068 分类号: H01L31/068;H01L31/028
代理公司: 苏州翔远专利代理事务所(普通合伙) 32251 代理人: 陆金星
地址: 215129 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 perc 太阳能电池
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种PERC太阳能电池,属于太阳能电池技术领域。

背景技术

常规的化石燃料日益消耗殆尽,在现有的可持续能源中,太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。太阳能发电装置又称为太阳能电池或光伏电池,可以将太阳能直接转换成电能,其发电原理是基于半导体PN结的光生伏特效应。随着科技的发展,出现了局部接触背钝化(PERC)太阳能电池,这是新开发出来的一种高效太阳能电池,得到了业界的广泛关注。其核心是在硅片的背光面用氧化铝或者氧化硅薄膜(5~100纳米)覆盖,以起到钝化表面,提高长波响应的作用,从而提升电池的转换效率。但是,氧化铝或者氧化硅不导电,因此需要对该薄膜局部开口,以便于铝金属与硅片背表面接触,收集电流。另外,铝金属(通常是铝浆),在高温烧结过程中,会破坏氧化铝或者氧化硅的钝化作用,因此通常要在氧化铝或者氧化硅薄膜上再覆盖氮化硅薄膜,起到保护作用。现有的PERC太阳能电池的制备方法主要包括如下步骤:制绒、扩散、背抛光、刻蚀和去杂质玻璃、背面沉积氧化铝或氧化硅薄膜、沉积氮化硅保护膜、正面沉积氮化硅减反射层、背面局部开口、丝网印刷正背面金属浆料、烧结,即可得到太阳能电池。

另一方面,众所周知的,作为太阳能电池基本材料的硅,其对光的吸收有两个特性:1) 波长越短,光吸收系数越高,被全部吸收所需要的深度越浅;波长越长,光吸收系数越高,被全部吸收所需的深度越深。所以要尽可能地吸收长波光,必须要使得光在硅中的行走路程尽可能地长;2) 硅的本征吸收截止波长为1140纳米,也就是说,在此波长以上不能被吸收转换成电。因此,为了尽可能地利用长波的光,局部接触背钝化电池(PERC)技术应运而生。其特点有两个:1) 在硅片的背光面用氧化铝或者氧化硅薄膜(5~100纳米)覆盖,以起到钝化表面,提升太阳电池开路电压的作用;2) 背光面做成反射率更高的光面,这样在硅片内没有来得及吸收的长波光被反射回体内再次吸收,从而提高了长波(波长900~1140纳米)响应的作用,提升电池的短路电流。

然而,现有的PERC太阳能电池都是采用硅材料,因此现有的PERC太阳能电池只能在硅的截止波长以内提升光的吸收率,对截止波长以外的部分无能为力。

发明内容

本实用新型的发明目的是提供一种PERC太阳能电池。

为达到上述发明目的,本实用新型采用的技术方案是:一种PERC太阳能电池,包括具有PN结的硅片层,以及依次设于硅片层背面的钝化层、氮化硅薄膜层和铝金属层;所述硅片层和钝化层之间设有锗硅合金层;所述锗硅合金层的厚度为1~50微米。

上文中,所述锗硅合金层是现有技术。锗是与硅同属第四主族的半导体材料,其特点是:1) 结构与性质和硅相近;2) 禁带宽度为0.66eV,小于硅的1.12eV,锗的截止波长达到1870纳米,远远超过硅的1140纳米,因而可吸收更宽范围的光波;3) 在同样的光波长条件下,锗的吸收系数比硅高约10倍。也就是要吸收同样的光,锗的厚度更薄。锗与硅可按照一定比例互溶,形成锗硅合金。锗硅合金的截止波长介于纯硅与纯锗之间,与两者的比例直接相关。在上述锗硅合金层中,锗的百分比为0.1~99.9%。

优选的,所述硅片层和锗硅合金层的厚度比为2~50:1。

上述技术方案中,所述钝化层为氧化铝薄膜层或氧化硅薄膜层。

上述技术方案中,所述钝化层的厚度为5~100纳米。

由于上述技术方案运用,本实用新型与现有技术相比具有下列优点:

1、本实用新型开发了一种新结构的PERC太阳能电池,通过在硅片层和钝化层之间设有锗硅合金层,拓宽了局部背钝化电池的光吸收波长范围,进一步提高局部背钝化电池的转换效率;

2、本实用新型采用的锗硅合金层性质稳定,且性能与纯硅接近,不会带来杂质或界面复合,因而不会影响电池转换效率的提升。

3、本实用新型的结构简单,成本较低,适于推广应用。

附图说明

图1是本实用新型实施例一的结构示意图。

其中:1、硅片层;2、钝化层;3、氮化硅薄膜层;4、铝金属层;5、锗硅合金层。

具体实施方式

下面结合实施例对本实用新型进一步描述。

实施例一:

参见图1所示,一种PERC太阳能电池,包括具有PN结的硅片层1,以及依次设于硅片层背面的钝化层2、氮化硅薄膜层3和铝金属层4;所述硅片层和钝化层之间设有锗硅合金层5;所述锗硅合金层的厚度为10微米。

所述硅片层的厚度为300微米。

所述钝化层为氧化铝薄膜层。所述钝化层的厚度为50纳米。

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