[实用新型]高强度聚焦超声仪及其功率监测器

说明书

技术领域

本实用新型涉及治疗超声技术领域，特别是涉及一种高强度聚焦超声仪及其功率监测器。

背景技术

治疗超声技术被推选为当今世界的前沿科学技术。高强聚焦超声(High Intensity Focused Ultrasound，HIFU)技术是通过换能器把功率放大器提供的电能量转换为机械能的应用。HIFU技术被认为是21世纪无创治疗肿瘤的新技术，已被成功地用于临床“消融”多种肿瘤。其机制是通过换能器把可控电能量转换为超声波束聚并集于靶区，使靶区组织的温度在短时间内达到65℃以上，使得肿瘤细胞变性、坏死，从而达到热消融治疗肿瘤的目的。靶区温度是由聚焦靶区的能量大小和作用时间长短决定的。如何有效控制电能量的大小、作用时间，实现安全“消融”，是HIFU技术的重要环节。因此，控制聚集于靶区的超声波束能量大小、作用时间长短是控制靶区温度的关键。

而功率放大器提供给换能器的功率过大，会导致功放功率过大，进而导致功率放大器高能量损伤，而且换能器反射回来的功率太大会导致功率放大器受损，进而影响HIFU仪器的安全性和可靠性。

实用新型内容

基于此，有必要提供一种能监测功率放大器的输出功率及经换能器反射至功率放大器的反射功率的高强度聚焦超声仪及其功率监测器。

一种高强度聚焦超声仪的功率监测器，包括：

电路板，具有第一监测电路及第二监测电路，所述第一监测电路用于监测所述高强度聚焦超声仪的功率放大器的输出功率，所述第二监测电路用于监测经所述高强度聚焦超声仪的换能器反射至所述功率放大器的反射功率；

第一SMA射频连接件，其一端与所述第一监测电路电气连接，另一端用于 与所述功率放大器的正向耦合口电气连接；及

第二SMA射频连接件，其一端与所述第二监测电路电气连接，另一端用于与所述功率放大器的负向耦合口电气连接。

在其中一个实施例中，还包括USB接头数据传输线，所述USB接头数据传输线一端与所述电路板电气连接，另一端用于与所述高强度聚焦超声仪的控制设备电气连接。

在其中一个实施例中，还包括屏蔽盒，所述电路板容置于所述屏蔽盒内，所述第一SMA射频连接件、所述第二SMA射频连接件及所述USB接头数据传输线远离所述电路板的一端均位于所述屏蔽盒外。

在其中一个实施例中，所述屏蔽盒包括底座及上盖；

所述底座包括第一筒体、设于所述第一筒体上的第一底板及多个第一连接片，所述多个第一连接片间隔设于所述第一筒体的内壁上，且所述多个第一连接片的一端位于所述第一筒体的一端外，所述第一连接片的数目大于或等于三片；

所述上盖包括第二筒体、设于所述第二筒体上的第二底板及多个第二连接片，所述多个第二连接片间隔设于所述第二筒体的外壁上，且所述多个第二连接片的一端位于所述第二筒体的一端外；

所述上盖套设于所述底座上，且所述多个第一连接片的外壁与所述多个第二连接片的内壁一一对应贴合，相邻两个第一连接片与其对应的两个第二连接片围合形成一卡口；

所述电路板容置于所述第一筒体内，且所述第一SMA射频连接件穿设于一卡口中，所述第二SMA射频连接件穿设于另一卡口中，所述USB接头数据传输线穿设于另一卡口中。

在其中一个实施例中，还包括固定件，所述第二底板、所述电路板及所述第一底板上分别开设有固定孔，所述固定件通过所述固定孔穿设于所述第二底板、所述电路板及所述第一底板上。

在其中一个实施例中，所述第一连接片与所述第二连接片设有胶粘层。

在其中一个实施例中，所述第一底板设于所述第一筒体的一端上，且所述 第一连接片远离所述第一底板的一端位于所述第一筒体远离所述第一底板的一端外；

所述第二底板设于所述第二筒体的一端上，且所述第二连接片远离所述第二底板的一端位于所述第二筒体远离所述第二底板的一端外。

在其中一个实施例中，所述第一连接片与所述第二连接片完全贴合，所述卡口的宽度即为相邻两个第一连接片之间的间隔距离；

或者，所述第一筒体呈圆柱体形，所述电路板呈圆柱体形。

一种高强度聚焦超声仪，包括：

换能器；

功率放大器，用于向所述换能器提供电能，具有正向耦合口及负向耦合口；及

上述的功率监测器，所述第一SMA射频连接件与所述正向耦合口电气连接，所述第二SMA射频连接件与所述负向耦合口电气连接。

一种高强度聚焦超声仪，包括：

换能器；