[实用新型]一种传导冷却叠层阵列高功率半导体激光器

权利要求书

1.一种传导冷却叠层阵列高功率半导体激光器，包括激光芯片组，正极连接块、负极连接块和热沉，所述激光器芯片组采用了多个激光芯片形成叠阵模块，其中各个激光芯片均带有衬底；叠阵模块芯片堆叠方向的两个端面分别作为激光器芯片组的正极端和负极端，其特征在于：

激光芯片组的安装位置对应于热沉的中部，与热沉之间设置有导热绝缘层；

所述正极连接块、负极连接块均为L形结构，两者呈中心对称设置，并通过导热绝缘层与热沉焊接；

L形结构中，长部与短部扭转相接形成不同方向的焊接面；

正极连接块和负极连接块L形结构的长部分别与所述叠阵模块的两个端面相贴并焊接；

正极连接块和负极连接块L形结构的短部为孔板形式作为引出电极，安装位置对应于热沉的两翼，分别通过电极绝缘层与热沉焊接。

2.根据权利要求1所述的传导冷却叠层阵列高功率半导体激光器，其特征在于：所述热沉为凸台形，底导热绝缘层焊接于中间的凸台部，两处电极绝缘层分别焊接于两翼的台阶部。

3.根据权利要求1或2所述的传导冷却叠层阵列高功率半导体激光器，其特征在于：L形结构的长部与叠阵模块端面相贴的面与叠阵模块的出光方向相平行，与L形结构的短部的孔板平面相垂直。

4.根据权利要求3所述的传导冷却叠层阵列高功率半导体激光器，其特征在于：激光芯片组与导热绝缘层之间留有空隙。

5.根据权利要求3所述的传导冷却叠层阵列高功率半导体激光器，其特征在于：导热绝缘层与电极绝缘层为一体件。

6.根据权利要求3所述的传导冷却叠层阵列高功率半导体激光器，其特征在于：所述的导热绝缘层采用陶瓷或金刚石。

7.根据权利要求3所述的传导冷却叠层阵列高功率半导体激光器，其特征在于：所述的热沉采用铜或铜钨或铜金刚石复合材料。

8.根据权利要求3所述的传导冷却叠层阵列高功率半导体激光器，其特征在于：所述的电极绝缘层采用陶瓷或金刚石。

9.基于权利要求1所述传导冷却叠层阵列高功率半导体激光器组装的环形系统，其特征在于：多个传导冷却叠层阵列高功率半导体激光器围绕晶体棒环形排布，每个传导冷却叠层阵列高功率半导体激光器中，正极连接块和负极连接块的引出电极中心连线方向与晶体棒轴线平行。