[实用新型]一种新型过流保护电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电路保护技术领域，尤其是一种新型过流保护电路。

背景技术

近年来，随着电子技术的飞速发展和集成电路的大量应用，对电路及系统的可靠性和稳定性提出了更高的要求，且需电路系统能快速准确地检测出关键运行参数。而集成电路中的大功率器件如MOSFET，IGBT等承受短时过载的能力较差，容易因为过压或过流而使管内积聚过多的能量，从而导致管子损坏。

传统过流保护电路中，电流采样方法是通过与电感或功率器件相串联的外置采样电阻，将电流转化为电压进行采样，再与内部的参考电压进行比较，通过控制电路控制开关功率管的导通或关断。但是采用这种方法时，流经功率管的电流流过采样电阻，增大了功率损耗；在要求低功耗的场合，其应用受到了很大的限制。

针对传统过流保护电路存在的功耗较大、过流点温漂较大的问题，因此，有必要对现有的过流保护电路提出改进方案，以提高电路的实用性。

实用新型内容

针对上述现有技术中存在的不足，本实用新型的目的在于提供一种可靠性高、功耗低、过流点温漂小的新型过流保护电路。

为了实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种新型过流保护电路，它包括第十四功率开关管、第十三场效应管、第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管、第五场效应管、第六场效应管、第七场效应管、第八场效应管、第九场效应管、第十场效应管、第十一场效应管、第十二场效应管、第一三极管和第二三极管；

所述第十四功率开关管的漏极连接至第十三场效应管的漏极，所述第十三场效应管的栅极连接有第一电容，所述第十三场效应管的源极依次连接有第一电阻和第二电阻，所述第十三场效应管的源极依次串联有第三电阻、第四电阻、第五电阻和第六电阻，所述第一场效应管的栅极连接至第二场效应管的栅极，所述第二场效应管的漏极连接至第三场效应管的漏极；

所述第三场效应管的栅极连接至第四场效应管的栅极，所述第四场效应管的漏极连接至第五场效应管的漏极，所述第五场效应管的栅极连接至第六场效应管的栅极，所述第六场效应管的漏极连接至第一三极管的集电极，所述第一三极管的基极连接至第四电阻和第五电阻之间，所述第一三极管的发射极连接至第七场效应管的漏极，所述第七场效应管的源极连接至第八场效应管的漏极，所述第九场效应管的栅极连接至第三场效应管的漏极，所述第九场效应管的漏极连接至第二三极管的发射极，所述第二三极管的基极分别连接有第七电阻和第二电容，所述第二三极管的基极连接至第十一场效应管的漏极，所述第十一场效应管的源极连接至第十场效应管的漏极，所述第十一场效应管的栅极连接至第十二场效应管的栅极。

由于采用了上述方案，本实用新型采用由第十四功率开关管、第十三场效应管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻和第六电阻构成的采样电路，由第四场效应管、第五场效应管、第六场效应管、第七场效应管、第八场效应管、第九场效应管、第一三极管和第二三极管构成的比较器主体电路，通过对采样电路的温度补偿，进一步减小了因温度变化引起的过流点改变，提高了过流点精度，可靠性高功耗低，具有很强的实用性。

附图说明

图1是本实用新型实施例的电路连接结构图。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的实施例进行详细说明，但是本实用新型可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。

如图1所示，本实施例的一种新型过流保护电路，它包括第十四功率开关管MOSFET、第十三场效应管JFET、第一场效应管M1、第二场效应管M2、第三场效应管M3、第四场效应管M4、第五场效应管M5、第六场效应管M6、第七场效应管M7、第八场效应管M8、第九场效应管M9、第十场效应管M10、第十一场效应管M11、第十二场效应管M12、第一三极管Q1和第二三极管Q2；

第十四功率开关管MOSFET的漏极连接至第十三场效应管JFET的漏极并接收采样电流I1，第十四功率开关管MOSFET的栅极接收RIVER信号且其源极接地；第十三场效应管JFET的源极依次连接有第一电阻R1和第二电阻R2，第十三场效应管JFET的栅极连接有第一电容C1并连接至第一电阻R1和第二电阻R2之间，第十三场效应管JFET的源极依次串联有第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5和第六电阻R6；第一场效应管M1的栅极连接至第二场效应管M2的栅极，第一场效应管M1的栅极与其漏极短接；第二场效应管M2的漏极连接至第三场效应管M3的漏极；