[实用新型]无主栅高效率背接触太阳能电池模块及组件有效
申请号: | 201420565361.6 | 申请日: | 2014-09-28 |
公开(公告)号: | CN204144274U | 公开(公告)日: | 2015-02-04 |
发明(设计)人: | 林建伟;夏文进;孙玉海;张育政 | 申请(专利权)人: | 苏州中来光伏新材股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人: | 林建军 |
地址: | 215542 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 无主 高效率 接触 太阳能电池 模块 组件 | ||
1.无主栅高效率背接触太阳能电池模块,该太阳能电池模块包括电池片和电连接层,所述电池片的背光面具有与P型掺杂层连接的P电极和与N型掺杂层连接的N电极,其特征在于:所述电连接层包括平行排列的若干导电线,所述若干导电线分别与所述P电极或者所述N电极电连接,所述背接触太阳能电池模块面积与所述电池片面积比为1.05:1~100:1。
2.根据权利要求1所述的无主栅高效率背接触太阳能电池模块,其特征在于:所述P电极为点状P电极或者线型P电极,所述N电极为点状N电极或者线型N电极。
3.根据权利要求2所述的无主栅高效率背接触太阳能电池模块,其特征在于:所述点状P电极的直径为0.4mm~1.5mm,所述同一导电线上连接的两个相邻点状P电极之间的距离为0.7mm~10mm,所述线型P电极的宽度为0.4mm~1.5mm;所述点状N电极的直径为0.4mm~1.5mm,所述同一导电线上连接的两个相邻点状N电极之间的距离为0.7mm~10mm,所述线型N电极的宽度为0.4mm~1.5mm;所述点状P电极和所述点状N电极的总个数为1000~40000个。
4.根据权利要求1所述的无主栅高效率背接触太阳能电池模块,其特征在于:与所述P电极相连的导电线和与所述N电极相连的导电线之间的距离为0.1mm~20mm;所述导电线的数量为10根~500根。
5.根据权利要求1所述的无主栅高效率背接触太阳能电池模块,其特征在于:所述导电线的横截面形状为圆形、方形或椭圆形中的任一 种;所述导电线横截面形状的外接圆直径为0.05mm~1.5mm。
6.根据权利要求1所述的无主栅高效率背接触太阳能电池模块,其特征在于:所述导电线表面镀有防氧化镀层材料或涂覆有导电胶;所述防氧化镀层材料为锡、锡铅合金、锡铋合金或锡铅银合金中的任一种;导电线的镀层或导电胶层厚度为5μm~50μm;所述导电粒子的形状为球形、片状、橄榄状、针状中的任一种;导电粒子的粒径为0.01μm~5μm。
7.根据权利要求1所述的无主栅高效率背接触太阳能电池模块,其特征在于:所述电连接层设置有P汇流条电极和N汇流条电极,所述P汇流条电极和所述N汇流条电极设置于所述电连接层两侧;所述汇流条电极的表面具有凹凸形状。
8.根据权利要求1所述的无主栅高效率背接触太阳能电池模块,其特征在于:所述P电极与所述N电极之间的绝缘层处设置有热塑性树脂或热固性树脂。
9.无主栅高效率背接触太阳能电池组件,包括由上至下连接的前层材料、封装材料、太阳能电池层、封装材料、背层材料,其特征在于:所述太阳能电池层包括若干个太阳能电池模块,所述太阳能电池模块为权利要求1‐8任一项所述的太阳能电池模块,所述相邻的太阳能电池模块通过电连接层两侧的汇流条电连接。
10.根据权利要求9所述的无主栅高效率背接触太阳能电池组件,其特征在于:每个所述太阳能电池模块内的太阳能电池片彼此串联;太阳能电池模块之间依次串联,每个太阳能电池模块内的太阳能电池片 的数量相同;所述太阳电池层的电池片个数为1~120个,其中,包括1~120个电池模块,所述电池模块包括1~120个电池片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州中来光伏新材股份有限公司,未经苏州中来光伏新材股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420565361.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高晶体质量红外发光二极管
- 下一篇:低成本高可靠性的太阳电池片
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的