[实用新型]一种N型多晶硅太阳能电池有效
| 申请号： | 201420473357.7 | 申请日： | 2014-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN204118085U | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 石强;秦崇德;方结彬;黄玉平;何达能;陈刚 | 申请（专利权）人： | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 温旭 |
| 地址： | 528100 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 太阳能电池 | ||
1.一种N型多晶硅太阳能电池，其特征在于，包括背电极、背钝化层、N型多晶硅片、P型发射极、反应离子刻蚀绒面、Al2O3层、氮化硅层和正电极，所述背电极、背钝化层、N型多晶硅片、P型发射极、反应离子刻蚀绒面、Al2O3层、氮化硅层和正电极依次相连;
所述反应离子刻蚀绒面为针状或者棒状结构。
2.如权利要求1所述的N型多晶硅太阳能电池，其特征在于，所述反应离子刻蚀绒面为均匀分布在所述P型发射极表面的针状或者棒状结构。
3.如权利要求2所述的N型多晶硅太阳能电池，其特征在于，所述针状或者棒状结构的高度为50nm-3μm，所述针状或者棒状结构之间的间距为200nm-8μm。
4.如权利要求3所述的N型多晶硅太阳能电池，其特征在于，所述针状或者棒状结构的高度为100nm-2μm，所述针状或者棒状结构之间的间距为300nm-5μm。
5.如权利要求1-4任一项所述的N型多晶硅太阳能电池，其特征在于，所述反应离子刻蚀绒面在1100nm以下波段的平均反射率为6%-13%。
6.如权利要求1所述的N型多晶硅太阳能电池，其特征在于，所述背钝化层为N型发射极和氮化硅层，或者N型发射极和氧化硅层，或者氮化硅层。
7.如权利要求6所述的N型多晶硅太阳能电池，其特征在于，所述N型发射极的方块电阻为10-40Ω/□；
所述氮化硅层的厚度为50-110nm；
所述氧化硅层的厚度为15-40nm。
8.如权利要求1所述的N型多晶硅太阳能电池，其特征在于，所述Al2O3层的厚度为5-20nm。
9.如权利要求1所述的N型多晶硅太阳能电池，其特征在于，所述氮化硅层的厚度为70-90nm，折射率为1.95-2.15。
10.如权利要求1所述的N型多晶硅太阳能电池，其特征在于，所述正电极为Ag电极或者Cu电极；
所述背电极为Ag电极或者Cu电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
