[实用新型]一种高压断路器预击穿电流检测装置有效

专利信息
申请号: 201420378077.8 申请日: 2014-07-07
公开(公告)号: CN204129178U 公开(公告)日: 2015-01-28
发明(设计)人: 周翔;胡醇;徐俊华;周旋;郑伦旭;卞菊惠;姚松贵 申请(专利权)人: 苏州电器科学研究院股份有限公司
主分类号: G01R31/327 分类号: G01R31/327;G01R19/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215104 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 高压 断路器 击穿 电流 检测 装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种高压断路器预击穿电流检测装置,适用于252kV以下电压等级,属于高压电器检测技术领域。 

背景技术

预击穿电流是高压断路器在关合过程中因击穿而产生的电流,对预击穿电流的精准检测是高压断路器合成关合试验成败的关键因素之一。由于高压断路器的预击穿电流从产生到结束时间极短,给检测带来很大的困难,此外检测到的信号在传输过程中的干扰对检测也有较大的影响。 

目前国内很少有应用于高压断路器的预击穿电流检测装置,一般都是局限于试验研究范围之内,仅用于科研,且试验设备的稳定性差,系统复杂,不能满足实际需求。 

为解决上述问题,提供一种新型的高压断路器预击穿电流检测装置,将线圈绕在磁环上提高检测预击穿电流的灵敏度,用可控硅触发减小时延,用光纤信号传输降低模拟信号在传输过程中的衰减和干扰。 

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种高压断路器预击穿电流检测装置,不仅成本低廉、使用方便,而且精准可靠,具有抗干扰能力强、衰减小的特点。 

本实用新型的技术方案是:一种高压断路器预击穿电流检测装置,由感应线圈11、触发回路12、光纤传输系统13、信号处理主机14组成,其特征是:预击穿电流产生的磁场穿过感应线圈使感应线圈产生电动势,并以模拟信号的形式输出,该信号输入到触发回路(如图3所示),触发回路输出光信号,由光纤传输系统将信号长距离传输至信号处理主机。 

本实用新型的进一步技术方案是:一种高压断路器预击穿电流检测装置,由感应线圈11、触发回路12、光纤传输系统13、信号处理主机14组成,所述的感应线圈11(如图2所示)由磁环和导线组成,磁环增大线圈电感从而提高检测预击穿电流的灵敏度。 

本实用新型更进一步的技术方案是:一种高压断路器预击穿电流检测装置,由感应线圈11、触发回路12、光纤传输系统13、信号处理主机14组成,所述的触发回路12(如图3所示),限流保护电阻1限制电流过大,压敏电阻2与回路并联保护回路不受过电压冲击,整流二极管3将交流转换为直流,阻容分压器4将电压信号分压后触发TVS二极管,阻容保 护5防止发光二极管误触发,TVS二极管6导通后触发可控硅触发管8,可控硅触发管导通使发光二极管7发光。 

本实用新型的有益效果是:TVS二极管和可控硅快速触发导通的特性使整个回路的反应时间极短,从而精准的检测到预击穿电流信号,通过发光二极管转换成光信号,减小了信号在传输过程中的衰减以及外界环境对信号的干扰。 

附图说明

下面结合附图及实施例对本实用新型作进一步描述: 

图1为本实用新型实施例的结构示意图; 

图2为感应线圈结构示意图; 

图3为触发回路原理示意图; 

其中:1限流保护电阻;2为压敏电阻;3为整流二极管;4为阻容分压器;5为阻容保护;6为TVS二极管;7为发光二极管;8为可控硅触发管;9为磁环;10为导线;11为感应线圈;12为触发回路;;13为光纤传输系统;14为信号处理主机。 

具体实施方式

实施例:一种新型高压断路器预击穿电流检测装置,本实用新型实施例的结构示意图、感应线圈结构示意图和触发回路原理示意图,分别如图1、图2和图3所示,图1是由感应线圈11、触发回路12、光纤传输系统13、信号处理主机14组成,图2是由磁环9和导线10组成,图3是由限流保护电阻1、压敏电阻2、整流二极管3、阻容分压器4、阻容保护5、TVS二极管6、发光二极管7、可控硅触发管8组成。 

为说明本实用新型的特点,下面通过原理进一步解释。 

如图2所示,预击穿电流产生的磁场穿过磁环时感应线圈两端有信号输出,信号输入到触发回路,如图3所示,压敏电阻2抑制输入信号尖脉冲,保护整个触发回路的安全。整流二极管3将信号整流为直流,通过阻容分压器4分压后触发TVS二极管6,TVS二极管触发可控硅8,可控硅导通发光二极管产生光信号,阻容保护5防止发光二极管误触发。 

如图1所示,触发回路输出光信号,由光纤将信号传输至数据处理主机,光纤传输降低了模拟信号传输过程中的衰减和干扰,提高了测量的准确度。 

以上仅是本实用新型的具体应用范例,对本实用新型的保护不构成任何限制。除上述实施例外,本实用新型还可以有其他实施方法,凡采用等同替换或等效变形形成的技术方案,均落在本实用新型所要求保护的范围之内。 

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