[实用新型]晶圆研磨设备有效
申请号: | 201420307930.7 | 申请日: | 2014-06-11 |
公开(公告)号: | CN203863494U | 公开(公告)日: | 2014-10-08 |
发明(设计)人: | 史爱波 | 申请(专利权)人: | 史爱波 |
主分类号: | B24B37/04 | 分类号: | B24B37/04;B24B37/16;B24B37/34 |
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地址: | 315193 浙江省宁波市鄞州区*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 研磨 设备 | ||
技术领域
本实用新型涉及工件研磨设备技术领域,尤其涉及一种晶圆研磨设备。
背景技术
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之IC产品。
现有技术的晶圆研磨设备在研磨工作完成后,由于晶圆被加工面十分光滑,容易与研磨布形成真空吸附,很难被取下,如果采用机械设备施加一定的力对其抓取,则易破坏其结构。
现有技术还开发了在研磨盘上设置沟槽来解决真空吸附的问题,但是研磨剂容易流失,造成资源浪费。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种晶圆研磨设备,以解决现有技术的晶圆研磨设备在研磨时容易流失研磨剂的问题。
为解决上述技术问题,本实用新型所采用的技术方案是:一种晶圆研磨设备,包括研磨盘,研磨盘底部中心处设有驱动装置一,驱动装置一底部设有滑块,滑块安装于滑轨上,研磨盘上表面设有研磨布,研磨盘上方设有研磨头和研磨剂供给装置,研磨头上部中心处设有驱动装置二,研磨头底部设有衬垫,研磨头底部周圈设有限位环,限位环、衬垫以及研磨盘围成的封闭空间内设有工件,研磨盘的上表面边缘处设有凹槽,所述凹槽设于研磨头的圆形运动轨迹外侧。
采用以上结构与现有技术相比,本实用新型具有以下优点:由于在研磨盘的上表面边缘处设有凹槽,当研磨头对工件完成研磨工序后,研磨盘沿导轨做直线运动,将工件对准凹槽,从而使工件与盘磨盘之间的真空吸附力消失,又能避免在研磨过程中易流失研磨剂的问题。
作为优选,所述衬垫上设有通孔用以供给研磨剂。从衬垫上方将研磨剂供给进入封闭空腔内,并配合自转的研磨头,可对工件上表面和侧壁进行研磨,提高了工作效率。
作为优选,所述研磨头设有2组,以研磨盘的一直径为对称中心线相对称布置。设置2组研磨头,可同时对2个工件进行研磨,提高工作效率。
作为优选,所述衬垫通过伸缩支杆连接于研磨头的下表面。伸缩支杆可调节衬垫与研磨盘之间的间距,从而适用于不同厚度的工件,应用范围广。
作为优选,所述研磨盘和研磨头的旋转方向相反。相反的旋转方向可提高研磨效率。
附图说明
图1为本实用新型的晶圆研磨设备的结构示意图。
图2为本实用新型的晶圆研磨设备中衬垫的结构示意图。
图3为本实用新型的晶圆研磨设备的碾磨头的研磨运动轨迹示意图。
图4为本实用新型的晶圆研磨设备的工件运动至凹槽上方的示意图。
图中所示:1、研磨盘,2、驱动装置一,3、研磨布,4、研磨头,5、研磨剂供给装置,6、衬垫,7、限位环,8、工件,9、凹槽,10、伸缩支杆,11、通孔,12、滑块,13、滑轨,14、驱动装置二。
具体实施方式
下面结合附图和实施例,对本实用新型的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型,但不用来限制本实用新型的范围。
一种晶圆研磨设备,包括研磨盘1,所述研磨盘1底部中心处设有电机,该电机底部设有滑块12,所述滑块12安装于滑轨13上,所述研磨盘1上表面设有研磨布3,所述研磨盘1上方设有研磨头4和研磨剂供给装置5,所述研磨头4设有2组,以研磨盘1的一直径为对称中心线相对称布置,所述研磨头4上部中心处设有另一电机用以驱动该研磨头4绕其中轴自转,所述研磨头4底部通过伸缩支杆10连接衬垫6,所述研磨头4底部周圈设有限位环7,所述限位环7、衬垫6以及研磨盘1围成的封闭空间内设有工件8,所述衬垫6上设有通孔11用以供给研磨剂,所述研磨盘1的上表面边缘处设有凹槽9,所述凹槽9设于研磨头4的圆形运动轨迹外侧。所述研磨盘1和研磨头4的旋转方向相反。
本实用新型的工作原理是:将工件放置于限位环、衬垫以及研磨盘围成的封闭空间内,伸缩支杆调节封闭空间的厚度以适应工件,研磨时,研磨剂供给装置分别给衬垫的通孔和研磨布供给研磨剂,研磨盘和研磨头同时旋转对工件进行全方位的研磨,由于在研磨盘的上表面边缘处设有凹槽,当研磨头对工件完成研磨工序后,研磨盘沿导轨直线运动,将工件对准凹槽,从而使工件与盘磨盘之间的真空吸附力消失,又能避免在研磨过程中易流失研磨剂的问题。
以上所述仅是本实用新型的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型技术原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
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