[实用新型]电容放大电路及采用该电容放大电路的电压调节电路

说明书

【技术领域】

本实用新型涉及一种集成电路领域，特别是涉及一种电容放大电路及采用该电容放大电路的电压调节电路。

【背景技术】

在集成电路中经常采用信号放大电路，为了保证信号输出稳定，通常需要加入补偿电容以环路稳定性补偿。集成电路制造工艺中，20uM*20uM面积可以制造的电容大小大约为：PIP(Poly-Insulation-Poly)类型的300fF；MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)类型的800fF；MIM(Metal-Insulation-Metal)类型的800fF，而同样20uM*20uM的面积制造的高阻值电阻可达500K欧姆以上。

由于受电路每级最大增益以及匹配性的限制，一般信号放大电路中的补偿电容需要10pF～20pF以上(1pF＝1000fF)，因此补偿电容占据了很大的面积，尤其PIP类型的电容占据面积更大。为了减少补偿电容的面积，同时也能达到补偿的效果，现有技术中可以采用电容放大器(Capacitor Larger)进行环路补偿，这样可以大大减小补偿电容的面积。

然而，即便是利用电容放大器进行环路补偿，其需要的电容仍然还是占用了较大的芯片面积，因此有必要进一步减小补偿电容在集成电路中占用的面积。

【实用新型内容】

本实用新型的目的在于提供一种电容放大电路，其可以对补偿电容进行更高倍数的放大，这样在满足补偿要求的情况下，进一步减小了补偿电容的面积。

本实用新型的目的在于提供一种电压调节器，其采用上述电容放大电路进行环路补偿，这样在满足补偿要求的情况下，进一步减小了补偿电容的面积。

根据本实用新型的一个方面，本实用新型提出一种电容放大电路，其包括：补偿电容和补偿电阻；第一场效应晶体管，其包括漏极、源级和栅极；第二场效应晶体管，其包括漏极、源级和栅极，其中第一场效应晶体管的源级与第二场效应晶体管的源级均与第一电源端相连，第一场效应晶体管的栅级经由补偿电阻与第二场效应晶体管的栅级相连，第一场效应晶体管的栅级与第一场效应晶体管的漏极相连，第二场效应晶体管的栅极经由补偿电容与第二场效应晶体管的漏极相连；第一电流源，其具有与第一场效应晶体管的漏极相连的第一连接端和与第二电源端相连的第二连接端；第二电流源，其具有与第二场效应晶体管的漏极相连的第一连接端和与第二电源端相连的第二连接端。

进一步的，第二场效应晶体管的宽长比与第一场效应晶体管的宽长比之比为K，K为正整数，第二电流源提供的电流与第一电流源提供的电流的比为K。

进一步的，第一场效应晶体管和第二场效应晶体管为PMOS场效应晶体管，此时第一电源端为输入电压端，第二电源端为接地端，第一电流源的第一连接端为电流输入端，第二连接端为电流输出端；第二电流源的第一连接端为电流输入端，第二连接端为电流输出端。

进一步的，第一场效应晶体管和第二场效应晶体管为NMOS场效应晶体管，

此时第一电源端为接地端，第二电源端为输入电压端，第一电流源的第一连接端为电流输出端，第二连接端为电流输入端；第二电流源的第一连接端为电流输出端，第二连接端为电流输入端。

根据本实用新型的一个方面，本实用新型提出另一种电容放大电路，其包括：补偿电容、补偿电阻和放大器；第一场效应晶体管，其包括漏极、源级和栅极；第二场效应晶体管，其包括漏极、源级和栅极，其中第一场效应晶体管的源级与第二场效应晶体管的源级均与第一电源端相连，第一场效应晶体管的栅级经由补偿电阻与第二场效应晶体管的栅级相连，第一场效应晶体管的栅级与第一场效应晶体管的漏极相连，所述放大器的输入端与第二场效应晶体管的漏极相连，所述放大器的输出端与补偿电容的一端相连，补偿电容的另一端与第二场效应晶体管的栅极相连；第一电流源，其具有与第一场效应晶体管的漏极相连的第一连接端和与第二电源端相连的第二连接端；第二电流源，其具有与第二场效应晶体管的漏极相连的第一连接端和与第二电源端相连的第二连接端。

进一步的，第二场效应晶体管的宽长比与第一场效应晶体管的宽长比之比为K，K为正整数，第二电流源提供的电流与第一电流源提供的电流的比为K。

进一步的，第一场效应晶体管和第二场效应晶体管为PMOS场效应晶体管，

此时第一电源端为输入电压端，第二电源端为接地端，第一电流源的第一连接端为电流输入端，第二连接端为电流输出端；第二电流源的第一连接端为电流输入端，第二连接端为电流输出端。

进一步的，第一场效应晶体管和第二场效应晶体管为NMOS场效应晶体管，