[实用新型]智能集成式电容补偿装置有效
申请号: | 201420264881.3 | 申请日: | 2014-05-22 |
公开(公告)号: | CN203911487U | 公开(公告)日: | 2014-10-29 |
发明(设计)人: | 马洪亮;张泽昊;何亚钢;胡志民;任俊辉;郑运专 | 申请(专利权)人: | 河北沃邦电力科技有限公司 |
主分类号: | H02J3/18 | 分类号: | H02J3/18 |
代理公司: | 北京爱普纳杰专利代理事务所(特殊普通合伙) 11419 | 代理人: | 王玉松 |
地址: | 050000 河北省石家庄市*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 智能 集成 电容 补偿 装置 | ||
1.一种智能集成式电容补偿装置,其特征在于:包括中央控制单元(1)、数据处理单元(2)、信号处理单元(3)、输出控制单元(6)和人机交互单元(7),中央控制单元(1)的第一信号接收端口与数据处理单元(2)的信号输出端口连接,中央控制单元(1)的第二信号接收端口与信号处理单元(3)的信号输出端口连接,中央控制单元(1)的第一信号输出端口与输出控制单元(6)的信号接收端口连接,输出控制单元(6)的执行端口与电力电容器(8)连接,中央控制单元(1)的数据输出端口与人机交互单元(7)的数据接收端口连接。
2.根据权利要求1所述的智能集成式电容补偿装置,其特征在于:所述电容补偿装置还包括自动联机单元(4)和报警装置(5),中央控制单元(1)的第三信号接收端口与自动联机单元(4)的地址分配口连接,中央控制单元(1)的第二信号输出端口与报警装置(5)连接。
3.根据权利要求1所述的智能集成式电容补偿装置,其特征在于:所述人机交互单元(7)上连接有LCM显示器(9)和键盘(10)。
4.根据权利要求1所述的智能集成式电容补偿装置,其特征在于:所述数据处理单元(2)的电路结构为三相交流电路中,R相一端与第一接线柱(A)连接,另一端依次与第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第八电阻(R8)串联后与双电压比较器集成电路LM393的同相端连接,S相一端与第二接线柱(B)连接,另一端依次与第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第九电阻(R9)串联后与双电压比较器集成电路LM393的反相端连接,T相一端与第三接线柱(C)连接,另一端依次与第五电阻(R5)、第六电阻(R6)、第十一电阻(R11)串联后接入第二零电势位(GND2),第二电阻(R2)与第八电阻(R8)之间的导线依次与第一二极管(D1)的负极和第二二极管(D2)的正极连接,第四电阻(R4)与第九电阻(R9)之间的导线依次与第一二极管(D1)的正极和第二二极管(D2)的负极连接,在第二二极管(D2)的正极处引出导线与第七电阻(R7)连接后接入第一零电势位(GND1),在第一二极管(D1)的正极处引出导线与第三二极管(D3)的负极连接,在第二二极管(D2)的负极处引出导线与第四二极管(D4)的正极连接,第三二极管(D3)的正极和第四二极管(D4)的负极依次连接在第六电阻(R6)与第十一电阻(R11)之间的导线上,在第十一电阻(R11)与第二零电势位(GND2)之间引出导线与第十电阻(R10)的一端连接,第十电阻(R10)的另一端连接在二极管负极与第九电阻(R9)之间的导线上。
5.根据权利要求1所述的智能集成式电容补偿装置,其特征在于:所述信号处理单元(3)的电路结构为晶体管输出光电耦合器TLP521-1的第一引脚(1)接入电源,第二引脚(2)与第十七电阻(R17)的一端连接,第十七电阻(R17)的另一端与控制器KZQ-4信号输出端连接,第三引脚(3)接入零电势位,第四引脚(4)与第十八电阻(R18)的一端连接,第十八电阻(R18)的另一端接入电源,在第四引脚(4)与第十八电阻(R18)之间引出的导线与光电耦合器PC817-A的信号输入端连接。
6.根据权利要求1所述的智能集成式电容补偿装置,其特征在于:所述中央控制单元(1)采用的中央处理器型号为stm32f103rct6。
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