[实用新型]电力变压器绕组松动监测装置有效
申请号: | 201420251318.2 | 申请日: | 2014-05-16 |
公开(公告)号: | CN203909210U | 公开(公告)日: | 2014-10-29 |
发明(设计)人: | 李凯;许洪华;王春宁;陈静民;周宇;马宏忠 | 申请(专利权)人: | 国家电网公司;江苏省电力公司;江苏省电力公司南京供电公司;河海大学 |
主分类号: | G01R31/06 | 分类号: | G01R31/06 |
代理公司: | 南京同泽专利事务所(特殊普通合伙) 32245 | 代理人: | 石敏 |
地址: | 210019 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电力变压器 绕组 松动 监测 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种监测电力变压器绕组松动的装置,属于电力变压器安全监测技术领域。
背景技术
电力变压器自出厂以来,其绕组压紧程度随运输、安装、运行过程以及外部短路事故而逐渐降低,造成绕组松动,降低了变压器抵御短路电流冲击的能力产生巨大的威胁。
引起变压器箱体的振动主要来源于有变压器本体的振动及冷却系统装置的振动。而本体的振动主要包括绕组和铁芯的振动。冷却装置引起的基本振动频率较低,与变压器本体振动有明显不同;变压器通电运行后,绕组中通过了电流,在铁芯和绕组中形成了磁场。变压器铁芯振动与电压平方成正相关关系。当电压很低时,铁芯的振动可忽略不计,振动主要来源于绕组振动,绕组的振动是在漏感的影响下,绕组中的电流相互作用产生电动力引起的,通常电动力正比于电流的平方。
为了保障电力变压器的正常运行,防止绕组松动最终发展成为绕组严重变形或绕组短路等致使性故障,但目前还没有专门用于监测变压器绕组松动的装置。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是,提出一种结构简单、容易实现且操作方便的电力变压器绕组松动监测装置。
本实用新型为解决上述技术问题提出的技术方案是:一种电力变压器绕组松动监测装置,所述变压器箱体上表面设有相互平行的一排高压接线柱和一排低压接线柱;所述监测装置包括振动传感器、数据采集电路和存储器,所述振动传感器设置在变压器箱体上表面的高压接线柱和低压接线柱之间的位置;所述数据采集电路以微处理器为核心配以人机交互模块、外部数据接口组成,其中,所述人机交互模块包括分别连接至微处理器的微型键盘和显示模块,所述外部数据接口为一符合RS232工业串行数据接口标准和USB串口数据总线标准的数据接口电路,其数据收发端口分别与微处理器的数据接口连接;所述振动传感器的数字输出端与微处理器的数字接口连接,所述存储器和外部数据接口连接。
本实用新型在使用时,将变压器低压侧三相绕组短路,在高压侧通过调压器调节外加电压,使低压侧短路电流接近额定电流时,此时测取振动数据,并在显示模块上进行数据显示,用于直观的判断绕组是否松动,同时将数据存储到存储器中,用于进一步的数据分析,便于更准确的判断绕组松动情况。
作为优选方案,所述振动传感器安装在变压器箱体上表面靠近低压接线柱的位置。因为低压侧绕组的振动通常比高压侧绕组要大,所以将振动传感器安装在变压器箱体上表面靠近低压接线柱的位置,监测的结果更准确。
作为优选方案,所述振动传感器是CA-YD-103振动加速度传感器。
为了提高数据采集电路的性能,所述微处理器可采用ARM架构的高速微处理器。
本实用新型带来的有益效果是:本实用新型通过在变压器箱体表面设置振动传感器,并通过振动传感器测得的振动数据监测绕组的松动情况,结构简单,容易实现,操作方便,而且监测结果可靠,适合大规模推广应用。
附图说明
下面结合附图对本实用新型的作进一步说明。
图1是本实用新型实施例的结构示意图。
具体实施方式
实施例
本实施例的电力变压器绕组松动监测装置如图1所示,在变压器箱体3-1上表面设有相互平行的一排高压接线柱3-2和一排低压接线柱3-3;该监测装置包括振动传感器4、数据采集电路1和存储器2,将振动传感器4的输入端通过磁铁牢固地吸附在变压器箱体3-1上表面的中央位置;数据采集电路1以微处理器1-1为核心配以人机交互模块1-2、外部数据接口1-3组成,其中,人机交互模块1-1包括分别连接至微处理器1-1的微型键盘和显示模块(图1中未示出)。外部数据接口1-3为一符合RS232工业串行数据接口标准和USB串口数据总线标准的数据接口电路,其数据收发端口分别与微处理器1-1的数据接口连接;振动传感器4的数字输出端与微处理器1-1的数字接口连接,存储器2和外部数据接口1-3连接。
本实施例中变压器的型号为S9-M-100/10,振动传感器采用CA-YD-103振动加速度传感器,微处理器采用ARM 7通用处理器。
低压侧绕组的振动通常比高压侧绕组要大,因此为了更准确地监测绕组松动情况,本实施例可以将振动传感器4设置在变压器箱体3-1上表面靠近低压接线柱3-3的位置。
本实用新型不局限于上述各实施例。凡采用等同替换形成的技术方案,均落在本实用新型要求的保护范围。
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