[实用新型]一种浪涌防护器件有效
申请号: | 201420250925.7 | 申请日: | 2014-05-15 |
公开(公告)号: | CN204144269U | 公开(公告)日: | 2015-02-04 |
发明(设计)人: | 李建利;黄亚发 | 申请(专利权)人: | 安徽芯旭半导体有限公司 |
主分类号: | H01L29/861 | 分类号: | H01L29/861;H02H9/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
地址: | 247000 安徽省池州市经济*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 浪涌 防护 器件 | ||
技术领域
本实用新型涉及浪涌防护技术领域,更具体地说,涉及一种浪涌防护器件。
背景技术
在现代电子设备使用过程中,经常会出现浪涌电流和电压瞬变的情况,使电子设备老化而性能下降,甚至损坏电子设备。因此在连接电子设备的电源线、信号线等控制线路上安装浪涌防护器件是保护电子设备的重要措施之一。但是现有的浪涌防护器件的性能有待提高。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型提供一种浪涌防护器件,降低了浪涌防护器件的结电容,降低了浪涌防护器件的箝位电压,提高了浪涌防护器件的性能。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种浪涌防护器件,包括:
一瞬态抑制二极管;以及,
一半导体放电管,所述瞬态抑制二极管的第一端与所述半导体放电管的第一端电性连接。
优选的,所述瞬态抑制二极管为单向瞬态抑制二极管;
其中,所述单向瞬态抑制二极管的第一端与所述半导体放电管的第一端电性连接。
优选的,所述瞬态抑制二极管为双向瞬态抑制二极管;
其中,所述双向瞬态抑制二极管的第一端与所述半导体放电管的第一端电性连接。
优选的,还包括第一电极和第二电极;
其中,所述第一电极与所述瞬态抑制二极管的第二端电性连接;所述第二电极与所述半导体放电管的第二端电性连接。
优选的,还包括绝缘外壳,所述绝缘外壳包裹有所述瞬态抑制二极管和所述半导体放电管,且所述第一电极与所述第二电极的端部位于所述绝缘外壳外围。
优选的,所述绝缘外壳为树脂绝缘外壳。
优选的,所述绝缘外壳为环氧树脂绝缘外壳。
优选的,所述浪涌防护器件为贴片式浪涌防护器件。
优选的,所述浪涌防护器件为轴向式浪涌防护器件。
优选的,所述第一电极与所述第二电极均为铜电极。
与现有技术相比,本实用新型所提供的技术方案具有以下优点:
本实用新型所提供的浪涌防护器件,包括一瞬态抑制二极管和一半导体放电管,其中,瞬态抑制二极管的一端和半导体放电管的一端电性连接。本实用新型提供的浪涌防护器件,不仅满足双向保护的功能,而且浪涌防护器件既具有瞬态抑制二极管的击穿电压精确度高、反应速度快、可靠性高、低漏电流等优点,并且通过将瞬态抑制二极管连接半导体放电管,还降低了整个浪涌防护器件的结电容,以及降低了浪涌防护器件的箝位电压,提高了浪涌防护器件的性能。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种浪涌防护器件的结构示意图;
图2为本申请实施例提供的另一种浪涌防护器件的结构示意图。
具体实施方式
正如背景技术所述,现有的浪涌防护器件的性能有待提高。发明人研究发现,造成这种缺陷的原因主要有浪涌防护器件的结电容较大。现有的浪涌防护器件一般为瞬态抑制二极管(TVS,Transient Voltage Suppressor),而瞬态抑制二极管具有较大的结电容,在高频电路应中,较大电容的浪涌防护器件将会导致信号丢失,限制了浪涌防护器件在高频电路中的应用。
基于此,本实用新型提供了一种浪涌防护器件,以克服现有技术存在的上述问题,包括:
一瞬态抑制二极管;以及,
一半导体放电管,所述瞬态抑制二极管的第一端与所述半导体放电管的第一端电性连接。
本实用新型所提供的浪涌防护器件,包括一瞬态抑制二极管和一半导体放电管,其中,瞬态抑制二极管的一端和半导体放电管的一端电性连接。本实用新型提供的浪涌防护器件,不仅满足双向保护的功能,而且浪涌防护器件既具有瞬态抑制二极管的击穿电压精确度高、反应速度快、可靠性高、低漏电流等优点,并且通过将瞬态抑制二极管连接半导体放电管,还降低了整个浪涌防护器件的结电容,以及降低了浪涌防护器件的箝位电压,提高了浪涌防护器件的性能。
以上是本实用新型的核心思想,为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。
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