[实用新型]一种高可焊高效光伏焊带有效
| 申请号: | 201420246921.1 | 申请日: | 2014-05-14 |
| 公开(公告)号: | CN203839390U | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
| 发明(设计)人: | 励征 | 申请(专利权)人: | 蒙特集团(香港)有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05 |
| 代理公司: | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人: | 王美华 |
| 地址: | 中国香港告士打道*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 高可焊 高效 光伏焊带 | ||
1.一种高可焊高效光伏焊带,其特征在于:包括导电基带(1),所述导电基带(1)为金属单质或合金材料,其具有上、下两个宽表面,所述的导电基带(1)至少有一个宽表面分布有多个凹槽集合(2),每个凹槽集合(2)由多个连续的凹槽(3)组成,不同凹槽集合(2)之间留有耦联平台(4),所述耦联平台(4)为高度不低于凹槽最高点,且其最大内接圆的直径不小于0.1mm的平台。
2.如权利要求1所述的光伏焊带,其特征在于:所述耦联平台(4)的最大内接圆的直径小于其所在宽表面的宽度。
3.如权利要求1或2所述的光伏焊带,其特征在于:所述耦联平台(4)沿导电基带(1)长度方向的最大长度小于20 mm。
4.如权利要求3所述的光伏焊带,其特征在于:所述耦联平台(4)的最大内接圆的直径大于0.25mm,且所述耦联平台(4)沿导电基带(1)长度方向的最大长度小于2.5mm。
5.如权利要求1所述的光伏焊带,其特征在于:所述耦联平台(4)的表面积占其所在导电基带(1)宽表面的面积比例m为5%≤m<95%。
6.如权利要求5所述的光伏焊带,其特征在于:所述耦联平台(4)的表面积占其所在导电基带(1)宽表面的面积比例m为25%≤m<75%。
7.如权利要求1或2所述的光伏焊带,其特征在于:所述耦联平台(4)的形状为平行四边形或梯形。
8.如权利要求7所述的光伏焊带,其特征在于:所述耦联平台(4)的形状为矩形或等腰梯形。
9.如权利要求1所述的光伏焊带,其特征在于:所述凹槽(3)的深度小于导电基带(1)厚度的75%。
10.如权利要求9所述的光伏焊带,其特征在于:所述凹槽(3)的深度均匀。
11.如权利要求9所述的光伏焊带,其特征在于:所述凹槽(3)的深度不均匀。
12.如权利要求1所述的光伏焊带,其特征在于:所述凹槽(3)为夹角在75°- 138°之间的V形槽。
13.如权利要求1或12所述的光伏焊带,其特征在于:所述凹槽(3)与导电基带(1)的长度方向平行。
14.如权利要求1或12所述的光伏焊带,其特征在于:所述凹槽(3)与导电基带(1)的长度方向存在小于90°的夹角。
15.如权利要求1所述的光伏焊带,其特征在于:所述耦联平台(4)高于所述凹槽(3)的最高点。
16.如权利要求1所述的光伏焊带,其特征在于:所述导电基带(1)的表面涂敷或电镀有焊料层(5)。
17.如权利要求1所述的光伏焊带,其特征在于:所述导电基带(1)的表面涂敷或电镀有导电反光层(6)。
18.如权利要求16所述的光伏焊带,其特征在于:所述焊料层(5)与导电基带(1)之间还制备有过渡层(7)。
19.如权利要求17所述的光伏焊带,其特征在于:所述导电反光层(6)与导电基带(1)之间还制备有过渡层(7)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





