[实用新型]一种OGS触摸屏

说明书

技术领域

本实用新型涉及触摸屏领域，特别是一种OGS触摸屏。

背景技术

目前OGS电容式触摸屏普遍采用的边框工艺为丝网印刷或BM光阻剂(与ITO层在同一面)，可以基本满足OGS触摸屏的使用要求，但无论是丝网印刷还是BM光阻剂都无法耐受高温，即温度不能高于230℃，即ITO膜层沉积时不能采用超过230℃的温度造成ITO膜层沉积质量较低，从产品的良品率不高。

发明内容

本实用新型所要达到的目的是提供一种OGS触摸屏，耐受高温，ITO导电膜质量高。

为了达到上述目的，本实用新型采用如下技术方案：一种OGS触摸屏，包括玻璃基板，还包括TiCN边框层、消影膜、ITO导电膜、OC绝缘层、金属膜层、保护层、第一边框丝印层，玻璃基板、TiCN边框层、消影膜、ITO导电膜、OC绝缘层、金属膜层、保护层、第一边框丝印层依照玻璃基板、TiCN边框层、消影膜、ITO导电膜、OC绝缘层、金属膜层、保护层、第一边框丝印层的顺序依次排列，相邻两层相互贴合。

进一步的，所述消影膜由五氧化二铌层和二氧化硅层构成，五氧化二铌层一面与二氧化硅层贴合，五氧化二铌层另一面与TiCN边框层贴合，二氧化硅层一面与五氧化二铌层贴合，二氧化硅层另一面与ITO导电膜贴合。

进一步的，还包括第二边框丝印层，第二边框丝印层设于第一边框丝印层上相对于保护层的另一面。两遍边框丝印后视觉效果更佳。

本实用新型同时公开另一种技术方案，与上一技术方案不同的是，所述TiCN边框层由TiN边框层替换。

进一步的，所述消影膜由五氧化二铌层和二氧化硅层构成，五氧化二铌层一面与二氧化硅层贴合，五氧化二铌层另一面与TiN边框层贴合，二氧化硅层一面与五氧化二铌层贴合，二氧化硅层另一面与ITO导电膜贴合。

进一步的，还包括第二边框丝印层，第二边框丝印层设于第一边框丝印层上相对于保护层的另一面。两遍边框丝印后视觉效果更佳。

采用上述技术方案后，本实用新型具有如下优点：

使用TiCN边框可耐受高温，使沉积ITO导电膜时可使用超过230℃的高温，从而提高ITO导电膜的质量，提高良品率。

附图说明

下面结合附图对本实用新型作进一步说明：

图1为本实用新型实施例一中各层的爆炸图。

具体实施方式

实施例一

附图1所示为本实用新型的一种实施例。

一种OGS触摸屏，包括玻璃基板1，还包括TiCN边框层2、消影膜、ITO导电膜5、OC绝缘层6、金属膜层7、保护层8、第一边框丝印层9、第二边框丝印层10，消影膜由五氧化二铌层3和二氧化硅层4构成，五氧化二铌层3一面与二氧化硅层4贴合，五氧化二铌层3另一面与TiCN边框层2贴合，二氧化硅层4一面与五氧化二铌层3贴合，二氧化硅层4另一面与ITO导电膜5贴合。各层依照玻璃基板1、TiCN边框层2、消影膜、ITO导电膜5、OC绝缘层6、金属膜层7、保护层8、第一边框丝印层9、第二边框丝印层10的顺序依次排列，相邻两层相互贴合。

上述OGS触摸屏的制作工艺，包括下述步骤，在玻璃基板1的一面使用300℃的温度(也可以是280℃、320℃或280℃-320℃中的其他取值)沉积TiCN，使用蚀刻工艺制作形成TiCN边框层2；在TiCN边框层2上使用220℃的温度(也可以是210℃、230℃或210℃-230℃中的其他取值)沉积一层五氧化二铌层3；在五氧化二铌层3上覆盖一层二氧化硅层4与五氧化二铌层3共同构成消影膜；在消影膜上溅射氧化铟锡并使用350℃的温度(也可以是340℃、360℃或340℃-360℃中的其他取值)的温度退火处理形成ITO导电膜5，在ITO导电膜5上蚀刻电路；在ITO导电膜5上覆盖OC绝缘层6绝缘；在OC绝缘膜层上使用220℃的温度(也可以是215℃、225℃或215℃-225℃中的其他取值)沉积一层金属膜层7，在金属膜层7上蚀刻过桥和电路；在金属膜层7上覆盖一层二氧化硅材质的保护层8；进行一遍或两遍边框丝印制成OGS触摸传感器；使用OCA光学胶将显示屏贴合在OGS触摸传感器带有保护层8的一面制成OGS触摸屏。

使用TiCN边框可耐受高温，使沉积ITO导电膜时可使用超过230℃的高温，从而提高ITO导电膜的质量，提高良品率。

实施例二