[实用新型]一种阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201420226445.7 | 申请日: | 2014-05-05 |
公开(公告)号: | CN203811955U | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
发明(设计)人: | 张春兵;侯清娜 | 申请(专利权)人: | 北京京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/163 | 分类号: | G02F1/163;G02B26/00;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100176 北京市大兴*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:多个像素单元,每个所述像素单元包括彩色子单元和黑白子单元;
所述彩色子单元至少包括第一子像素,第二子像素和第三子像素;所述黑白子单元包括至少一个电润湿子像素或至少一个电泳子像素。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述黑白子单元包括至少一个电润湿子像素;
所述像素单元为长方形,沿所述长方形的中轴线将所述长方形分为第一部分和第二部分,所述中轴线与所述长方形的长度方向平行,所述彩色子单元位于所述第一部分,所述黑白子单元位于所述第二部分。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述黑白子单元包括至少一个电润湿子像素,所述彩色子单元包括所述第一子像素,所述第二子像素和所述第三子像素;
所述像素单元为正方形,沿所述正方形的第一中轴线与第二中轴线将所述正方形分为第三部分,第四部分,第五部分和第六部分,所述第一中轴线与所述第二中轴线垂直,所述黑白子单元位于所述第三部分,所述第一子像素,所述第二子像素和所述第三子像素分别对应位于所述第四部分,所述第五部分和所述第六部分。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述黑白子单元包括至少一个电润湿子像素;
所述像素单元为长方形,沿所述长方形的长度方向将所述长方向平均分为第七部分和第八部分,所述第八部分的面积大于所述第七部分的面积,所述黑白子单元位于所述第七部分,所述彩色子单元位于所述第八部分。
5.根据权利要求2至4任意一项权利要求所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板为扭曲向列型TN结构高级超维场转换型ADS结构和横向电场效应显示型IPS结构中的任意一种。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述黑白子单元包括至少一个电泳子像素;
所述像素单元为长方形,沿所述长方形的中轴线将所述长方形分为第九部分和第十部分,所述中轴线与所述长方形的长度方向平行,所述彩色子单元位于所述第九部分,所述黑白子单元位于所述第十部 分。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述黑白子单元包括至少一个电泳子像素,所述彩色子单元包括所述第一子像素,所述第二子像素和所述第三子像素;
所述像素单元为正方形,沿所述正方形的第一中轴线与第二中轴线将所述正方形分为第十一部分,第十二部分,第十三部分和第十四部分,所述第一中轴线与所述第二中轴线垂直,所述黑白子单元位于所述第十一部分,所述第一子像素,所述第二子像素和所述第三子像素分别对应位于所述第十二部分,所述第十三部分和所述第十四部分。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述黑白子单元包括至少一个电泳子像素;
所述像素单元为长方形,沿所述长方形的长度方向将所述长方向平均分为第十五部分和第十六部分,所述第十六部分的面积大于所述第十五部分的面积,所述黑白子单元位于所述第十五部分,所述彩色子单元位于所述第十六部分。
9.根据权利要求6至8任意一项权利要求所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板为TN结构。
10.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至9任意一项权利要求所述的阵列基板。
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