[实用新型]一种与温度无关的集成电路电流基准源

权利要求书

1.一种与温度无关的集成电路电流基准源，其特征在于，所述集成电路电流基准源包含：第一电流产生电路(301)、第二电流产生电路(302)以及电流求和电路(303)；

所述第一电流产生电路(301)，用于产生随温度升高而降低的电流，即用于产生负温度系数电流；

所述第二电流产生电路(302)，用于产生随温度升高而升高的电流，即用于产生正温度系数电流；

所述第一电流产生电路(301)的输出端与所述电流求和电路(303)的一个输入端相连，所述第二电流产生电路(302)的输出端与所述电流求和电路(303)的另一个输入端相连，该电流求和电路(303)用于将第一电流产生电路(301)和第二电流产生电路(302)各自输出的电流按一设定比例叠加，且所述电流求和电路(303)的输出端即为与温度无关的集成电路电流基准源的输出端。

2.根据权利要求1所述的与温度无关的集成电路电流基准源，其特征在于，所述第一电流产生电路(301)包含：第一P型电流镜、第一N型电流镜、电阻R1和第一PNP型三极管；

所述第一P型电流镜与所述第一N型电流镜互为负载，从而形成自偏置结构；

所述电阻R1连接在所述第一N型电流镜的输出管的源级和负电源之间；

所述第一PNP型三极管的发射极连接在所述第一N型电流镜的输入管的源级，且该第一PNP型三极管的基极和集电极接所述负电源；

其中，所述第一PNP型三极管采用NPN型三极管或者二极管代替。

3.根据权利要求1所述的与温度无关的集成电路电流基准源，其特征在于，所述第二电流产生电路(302)包含：第二P型电流镜、第二N型电流镜、电阻R2、第二PNP型三极管和第三PNP型三极管；

所述第二P型电流镜和第二N型电流镜互为负载，从而形成自偏置结构；

所述电阻R2连接在所述第二N型电流镜的输出管的源级和第二PNP型三极管的发射极之间，第二PNP型三极管的基极和集电极接负电源；第三PNP型三极管的发射级连接在所述第二N型电流镜的输入管的源级，该第三PNP型三极管的集电极和基极连接到负电源；

其中，所述第二PNP型三极管和第三PNP型三极管全部或其中之一采用NPN型三极管或者二极管代替。

4.根据权利要求2或3所述的与温度无关的集成电路电流基准源，其特征在于，所述第一P型电流镜和第一N型电流镜采用共源共栅结构；

所述第二P型电流镜和第二N型电流镜采用共源共栅结构。

5.根据权利要求2或3所述的与温度无关的集成电路电流基准源，其特征在于，所述电流求和电路(303)包含：两个P型MOS管，所述两个P型MOS管的栅极分别与所述第一P型电流镜和第二P型电流镜相连，且所述两个P型MOS管的漏极短接形成电流求和电路的输出端。

6.根据权利要求2或3所述的与温度无关的集成电路电流基准源，其特征在于，所述第一P型电流镜和第二P型电流镜结构相同；

所述第一N型电流镜与所述第二N型电流镜结构相同。

7.根据权利要求2或3所述的与温度无关的集成电路电流基准源，其特征在于，所述第一P型电流镜包含：第一PMOS型晶体管和第二PMOS型晶体管；所述第一N型电流镜包含：第一NMOS型晶体管和第二NMOS型晶体管；

第一PMOS晶体管的源级连接正电源vdd，该第一PMOS晶体管的栅极与漏极相连于A节点；

第二PMOS晶体管的栅极与所述节点A相连，该第二PMOS晶体管的源级连接到所述正电源vdd；

第一NMOS晶体管的漏极连接所述第一PMOS晶体管的漏极，该第一NMOS晶体管的栅极连接第二NMOS晶体管的栅极，第一NMOS晶体管的源级连接所述电阻R1或所述电阻R2的一端；

第二NMOS晶体管的栅极与漏极相连于节点B，所述第二PMOS晶体管的漏极与所述节点B相连，该第二NMOS晶体管的源级连接PNP型三极管Q2的发射极，该PNP型三极管Q2的基极和集电极接负电源vss。