[实用新型]一种双出杆磁流变阻尼器活塞总成

权利要求书

1.一种双出杆磁流变阻尼器活塞总成，其特征在于，该活塞总成包括导线引出孔，活塞杆，活塞杆中心导线引出孔，活塞上盖片，工字磁芯下座，活塞外壳，活塞下盖片，工字磁芯上冒，磁芯导线引入孔，活塞导线引入孔，其中，

所述活塞杆设有导线引出孔、活塞杆中心导线引出孔和活塞导线引入孔，

所述工字磁芯下座设有磁芯导线引入孔、磁芯活塞杆过孔和线圈地线固定槽，磁芯下座通过磁芯活塞杆过孔穿入活塞杆之上，保持活塞杆中心导线引出孔和磁芯导线引入孔正对，焊接固定于活塞杆之上；

所述工字磁芯上冒设有磁冒活塞杆过孔，所述活塞上盖片和活塞下盖片，材质结构相同，设有导流孔和活塞杆过孔，所述工字磁芯上冒通过磁冒活塞杆过孔穿入活塞杆之上，磁冒下端面贴合焊接固定在磁芯上端面上； 所述活塞外壳设有盖片固定槽和包胶齿形环，所述活塞下盖片通过活塞杆过孔穿入活塞杆中并固定在下端的盖片固定槽中，所述活塞外壳从活塞杆上部穿入活塞杆中，活塞上盖片从活塞杆上部穿入固定在上端的盖片固定槽中；所述包胶齿形环上包覆耐磨四氟乙烯带，直径大于活塞外壳外径0.1-0.3mm。

2.根据权利要求1所述的双出杆磁流变阻尼器活塞总成，其特征在于：所述包胶齿形环上开有若干齿形槽。

3.根据权利要求1所述的双出杆磁流变阻尼器活塞总成，其特征在于，所述活塞杆为表面经过QPQ盐浴复合工艺处理的低碳钢活塞杆或中碳钢活塞杆，表面粗糙度Ra小于等于0.08。

4.根据权利要求1所述的双出杆磁流变阻尼器活塞总成，其特征在于，所述工字磁芯下座为1J116、1J117、铁镍合金、坡莫合金或电工软铁制成的工字磁芯下座。

5.根据权利要求1所述的双出杆磁流变阻尼器活塞总成，其特征在于，所述工字磁芯上冒为1J116、1J117、铁镍合金、坡莫合金或电工软铁制成的工字磁芯上冒。

6.根据权利要求1所述的双出杆磁流变阻尼器活塞总成，其特征在于，所述活塞外壳为1J116、1J117、铁镍合金、坡莫合金、电工软铁或低碳钢制成的活塞外壳。