[实用新型]高增益双频阵列天线有效
申请号: | 201420208084.3 | 申请日: | 2014-04-25 |
公开(公告)号: | CN203895598U | 公开(公告)日: | 2014-10-22 |
发明(设计)人: | 杨政颖;蔡旻伦;王俊凯 | 申请(专利权)人: | 信邦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01Q1/38 | 分类号: | H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q5/01;H01Q21/00 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 汤在彦 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 增益 双频 阵列 天线 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种外接式阵列天线,尤其涉及一种小尺寸且具有较佳应用频宽与辐射效能的高增益双频阵列天线。
背景技术
目前因为科技发展相当迅速,为了增加移动电子设备使用的方便性,其尺寸也设计的越来越迷你,时下可应用的无线通信技术包括无线局域网(WLAN)、WiMAX、3G等通信技术,不同于有线局域网,有线局域网是依靠线缆来传送信息,对于现代科技而言已经不能满足需求,而无线通信技术中又以无线局域网技术的发展最为成熟,其应用的范围也相当的广泛,例如车站、便利商店、医院、网咖等等的公共场所都应用了无线局域网技术,其传输距离最远可以达到100米,且具有高速的传输速率,使用者能通过个人移动电子设备随时随地使用网路环境。
随着移动电子设备与无线局域网的普及,提供网络传输服务时赖以收发信号的天线设计是格外地重要,天线设计的好坏即影响收发信号的效能,而传统天线通常为单一频段,而且天线尺寸庞大不易设置,也不方便使用,同时成本昂贵又容易折损,若想要增加其使用的通信频段,可通过增加天线的数目、增加天线结构的复杂度或改变天线的几何形状,以达到增加频段或让天线操作在特定频带的需求,但也增加了制造成本,因此设计天线者皆以缩小尺寸、提高效能为目的以增加天线的使用价值。
然而,目前用于无线局域网的双频(如2G/5G)天线,其工作的中心频率通常约在2.45GHz与5.475GHz频段附近,在满足最大增益5dBi(Decibel Isotropic,dBi)的需求时,天线设计不易,并且为了让无线局域网可以接收中心频率分别为2.45GHz与5.475GHz频段的信号同时具有最大增益5dBi,则天线结构的设计复杂势必造成天线尺寸的增大,因此,若欲设计一种具有优异辐射效能并且尺寸较小的双频天线,以现有技术而言,确实有待提出更佳的解决方案。
实用新型内容
鉴于上述现有技术的不足,本实用新型提供一种高增益双频阵列天线,其利用阵列结构的形式来充分使用空间,达到高增益、高效率的目的。
为达到上述目的所使用的主要技术手段在于:
高增益双频阵列天线包括:
一基板,其具有一第一表面、一第二表面;
一馈入部,其设在所述基板上的第一表面,所述馈入部的两端分别朝所述基板的二端延伸一第一信号段、一第二信号段与一第三信号段;
一第一辐射体,其设在所述基板第一表面的一端,所述第一辐射体与所述馈入部其中一端的第三信号段连接;
一第二辐射体,其设在所述基板第一表面的二端之间,所述第二辐射体与所述馈入部另一端的第三信号段连接;
一第三辐射体,其设在所述基板第一表面的另一端,所述第三辐射体与所述馈入部另一端的第三信号段连接;
一接地部,其设在所述基板上的第二表面,所述接地部具有两端并与所述馈入部位置相对;
一第四辐射体,其设在所述基板第二表面的一端,所述第四辐射体与所述接地部其中一端连接;
一第五辐射体,其设在所述基板第二表面的二端之间,所述第五辐射体与所述接地部另一端连接;
一第六辐射体,其设在所述基板第二表面的另一端,所述第六辐射体与所述接地部另一端连接。
根据本实用新型的一实施例,其中所述第一辐射体具有一第一连接部,所述第一连接部的一端与所述馈入部第一端的第三信号段电连接,所述第一连接部的另外两端分别延伸一第一低频辐射段以及一第一高频辐射段,所述第一低频辐射段、第一高频辐射段分别形成于所述第一表面上的两侧处。
根据本实用新型的一实施例,所述第二辐射体具有二第二连接部,所述第二连接部的一端与所述馈入部第二端的第三信号段电连接,各第二连接部的另一端分别延伸,并分别在所述第一表面上两侧处相对形成一第二低频辐射段以及一第二高频辐射段。
根据本实用新型的一实施例,所述第三辐射体具有二第三连接部,所述第三连接部的一端共同与所述馈入部第二端的第三信号段电连接,所述第三连接部的另一端分别延伸,并且分别在所述第一表面的两侧处形成一第三低频辐射段以及一第三高频辐射段。
根据本实用新型的一实施例,所述第四辐射体具有一第四连接部,所述第四连接部上端与所述接地部一端的第五信号段电连接,所述第四连接部的另外两端分别延伸一第四低频辐射段以及一第四高频辐射段,所述第四低频辐射段、第四高频辐射段分别形成于所述第二表面上的两侧处。
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