[实用新型]一种压电式自动反应芯片

权利要求书

1.一种压电式自动反应芯片，其特征在于：本体为迭片式层叠结构，从上至下设有数层，依次为微混合器层、第一绝缘层、换能器层和第二绝缘层，其中微混合器层内集成有振动混合池，第一绝缘层设在微混合器层和换能器层之间，换能器层内集成有叉指型换能器和芯片电极，叉指型换能器设在振动混合池的正下方，叉指型换能器与振动混合池的形状相应，振动混合池内的流体在叉指型换能器的作用下振动，叉指型换能器与芯片电极相连接，芯片电极与反应控制器相连，反应控制器由内置程序控制，反应控制器提供数字型电压信号通过芯片电极控制叉指型换能器工作，第二绝缘层设在换能器层的下部。 

2.根据权利要求1所述的一种压电式自动反应芯片，其特征在于：所述的微混合器层内还集成有压电微泵、反应芯片进口、反应芯片出口和微混合流道，压电微泵的内腔与反应芯片进口连通，并且压电微泵的内腔通过微混合流道与振动混合池连通，振动混合池与反应芯片出口连通，压电微泵与换能器层内的芯片电极连接，反应控制器提供数字型电压信号通过芯片电极控制压电微泵的工作。 

3.根据权利要求1所述的一种压电式自动反应芯片，其特征在于：所述的微混合器层为PDMS材料制成的透明层。 

4.根据权利要求1所述的一种压电式自动反应芯片，其特征在于：所述的换能器层为一压电基片，压电基片为人造石英或铌酸锂或钽酸锂或锗酸铋单晶材料。 

5.根据权利要求1所述的一种压电式自动反应芯片，其特征在于：所述的第二绝缘层的下部设有温控层，温控层上集成有铂金加热薄膜，温控层与换能器层内的芯片电极相连接，反应控制器通过芯片电极控制温控层工作。 

6.根据权利要求2所述的一种压电式自动反应芯片，其特征在于：所述的压电微泵设有两个或数个，压电微泵的泵体结构为单腔体或多腔体结构。