[实用新型]一种使用单端口存储单元的双端口静态随机存储器有效

专利信息
申请号: 201420153043.9 申请日: 2014-03-31
公开(公告)号: CN203799661U 公开(公告)日: 2014-08-27
发明(设计)人: 熊保玉;拜福君 申请(专利权)人: 西安华芯半导体有限公司
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10
代理公司: 西安西交通盛知识产权代理有限责任公司 61217 代理人: 王萌
地址: 710055 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 使用 端口 存储 单元 静态 随机 存储器
【权利要求书】:

1.一种使用单端口存储单元的双端口静态随机存储器,其特征在于,包括行译码器、单端口存储单元阵列、复制单元a、复制单元b、控制电路与预译码器、列译码器及读写数据通路、复制电路a、复制电路b、预译码选择器、读写控制状态机、读出数据串并转换电路和写入数据并串转换电路;

行译码器通过多条字线(wl)连接单端口存储单元阵列、复制单元a和复制单元b;行译码器还通过多条行预译码输出(rp)连接预译码选择器;

单端口存储单元阵列通过多条位线(BL)连接列译码器及读写数据通路;

复制单元a通过复制位线a(dwla)连接复制电路a;

复制单元b通过复制位线b(dwlb)连接复制电路b;

控制电路与预译码器通过多条端口a预译码输出(pa)和多条端口b预译码输出(pb)连接预译码选择器;控制电路与预译码器还通过本地写使能(lwe)和灵敏放大器使能(sae)连接列译码器及读写数据通路;控制电路与预译码器还通过写数据时钟(clk_d)连接写入数据并串转换电路;

列译码器及读写数据通路通过多条列预译码输出(cp)连接预译码选择器;列译码器及读写数据通路还通过读出数据(q)和灵敏放大器使能连接读出数据串并转换电路;列译码器及读写数据通路还通过写入数据(d)连接写入数据并串转换电路;

复制电路a通过复制字线a(dwla)和端口a复位信号(rseta)连接读写控制状态机;

复制电路b通过复制字线b(dwlb)和端口a复位信号(rsetb)连接读写控制状态机;

预译码选择器通过端口a、b选择信号(sel),端口a自定时信号(sa)和端口b自定时信号(sb)连接读写控制状态机;

读写控制状态机还通过端口a/b(sel)选择信号连接读数据串并转换电路和写入数据并串转换电路。

2.如权利要求1所述的一种使用单端口存储单元的双端口静态随机存储器,其特征在于,预译码选择器电路包括二选一选择器(401)、第一两输入或门(402)和第二两输入与门(403);二选一选择器(401)的两个输入端分别连接端口a预译码输出(pa)和端口b预译码输出(pb),二选一选择器(401)的控制端连接端口a/b选择信号(sel);第一两输入或门(402)的两个输入端分别连接端口a自定时信号(sa)和端口b自定时信号(sb);二选一选择器(401)的输出端和第一两输入或门(402)的输出端连接第二两输入与门(403)的输入端,第二两输入与门(403)的输出端连接行预译码输出和列预译码输出(rp/cp)。

3.如权利要求1所述的一种使用单端口存储单元的双端口静态随机存储器,其特征在于,写入数据并串转换电路包括负锁存器(501)、正沿D触发器(502)、二选一选择器(503)和缓冲器(504);负锁存器(501)的输入端D连接端口a写入数据(da),负锁存器(501)的使能端EN和正沿D触发器(502)的时钟脉冲输入端CK连接写入数据时钟(clk_d);正沿D触发器(502)的输入端D连接端口b写入数据(db);负锁存器(501)的输出端Q和正沿D触发器(502)的输出端Q连接二选一选择器(503)的两个输入端,二选一选择器(503)的控制端连接端口a/b选择信号(sel),二选一选择器(503)的输出端连接缓冲器(504)的输入端,缓冲器(504)输出端输出写入数据(d)至列译码器及读写数据通路。

4.如权利要求1所述的一种使用单端口存储单元的双端口静态随机存储器,其特征在于,读出数据串并转换电路包括第一负锁存器(601)、第二负锁存器(604)、第三负锁存器(605)、第一两输入与非门(602)和第二两输入与非门(603);第一负锁存器(601)的数据输入端D连接端口a/b选择信号(sel),使能端EN连接灵敏放大器使能信号(sae),输出端D连接第一两输入与非门(602)的第二输入端,输出端QN连接第一两输入与非门(602)的第一输入端;第一两输入与非门(602)的第一输入端和第二两输入与非门(603)的第二输入端均连接灵敏放大器使能信号(sae);第一两输入与非门(602)的输出端连接第二负锁存器(604)的使能端EN,第二两输入与非门(603)的输出端连接第三负锁存器(605)的使能端EN;第二负锁存器(604)和第三负锁存器(605)的数据输入端D均连接读出数据(q)。

5.如权利要求1所述的一种使用单端口存储单元的双端口静态随机存储器,其特征在于,读写控制状态机包括第一缓冲器(801)、第二缓冲器(809)、第一反相器(802)、第二反相器(808)、第三反相器(810)、第四反相器(812)、第五反相器(814)、第六反相器(815)、第七反相器(816)、第一两输入或非门(803)、第二两输入或非门(805)、第三两输入或非门(806)、第四两输入或非门(807)、第一两输入与门(804)、第二两输入与门(811)、NMOS晶体管(813)和PMOS晶体管(817);本地时钟(lclk)连接第一反相器(802)的输入端、第一两输入与门(804)的第一输入端;端口a复位信号(rseta)连接第二两输入或非门(805)的第二输入端、第三两输入或非门(806)的第一输入端、第三反相器(810)的输入端和NMOS晶体管(813)的栅极;端口b复位信号(rsetb)连接第四两输入或非门(807)的第二输入端和第七反相器(816)的输入端;第一反相器(802)输出端连接第一两输入或非门(803)的第一输入端,第一两输入或非门(803)的第二输入端连接第二两输入或非门(805)的输出端和第一两输入与门(804)的第二输入端;第一两输入或非门(803)的输出端连接第二两输入或非门(805)的第一输入端;第一两输入与门(804)的输出端连接第一缓冲器(801)的输入端;第三两输入或非门(806)的第二输入端连接第四两输入或非门(807)的输出端和第二反相器(808)的输入端,第三两输入或非门(806)的输出端连接第四两输入或非门(807)的第一输入端;第七反相器(816)的输出端连接PMOS晶体管(817)的栅极,PMOS晶体管(817)的源极接VDD,漏极接NMOS晶体管(813)的漏极、第四反相器(812)的输入端、第五反相器(814)的输入端和第六反相器(815)的输出端;NMOS晶体管(813)的源极接VSS;第五反相器(814)的输出端接第六反相器(815)的输入端;第三反相器(810)的输出端和第四反相器(812)的输出端连接第二两输入与门(811)的连接输入端,两第二两输入与门(811)的输出端连接第二缓冲器(809)的输入端。

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