[实用新型]一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置有效
| 申请号： | 201420137408.9 | 申请日： | 2014-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN203746864U | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 吴俊纬;李禹奉 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;安利霞 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 阵列 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管，包括：栅电极、栅绝缘层、有源层、源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极形成于所述有源层的上方，且分别位于所述有源层的相对的第一端部和第二端部；其特征在于，所述漏电极完全覆盖住所述有源层的第二端部。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述漏电极为矩形。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述漏电极包括：
彼此相连的覆盖电极和接触电极；其中，
所述覆盖电极，完全覆盖住所述有源层的第二端部，所述覆盖电极的纵向宽度大于或等于所述有源层的纵向宽度；
所述接触电极，用于与像素电极接触，所述接触电极的纵向宽度大于所述覆盖电极的纵向宽度，所述纵向是与所述有源层的第一端部和第二端部的连线所在方向垂直的方向。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述漏电极包括：
覆盖电极、连接电极和接触电极，所述连接电极位于所述覆盖电极和所述接触电极之间，分别与所述覆盖电极和所述接触电极相连；
所述覆盖电极，完全覆盖住所述有源层的第二端部；
所述连接电极，至少部分与所述栅电极重叠，所述连接电极的纵向宽度小于所述覆盖电极的纵向宽度，所述纵向是与所述有源层的第一端部和第二端部的连线所在方向垂直的方向；
所述接触电极，用于与像素电极接触。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述覆盖电极和所述连接电极呈T型或L型连接。
6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述覆盖电极为矩形。
7.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述覆盖电极呈凹字型，所述覆盖电极的凹槽的开口朝向所述源电极。
8.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述接触电极的纵向宽度大于或等于所述连接电极的纵向宽度。
9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源电极包括：第一电极、第二电极和第三电极，所述第二电极位于所述第一电极和所述第三电极之间，分别与所述第一电极和所述第三电极相连；
所述第一电极，完全覆盖住所述有源层的第一端部；
所述第二电极，至少部分与所述栅电极重叠，所述第二电极的纵向宽度小于所述第一电极和所述第三电极的纵向宽度，所述纵向是与所述有源层的第一端部和第二端部的连线所在方向垂直的方向。
10.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的薄膜晶体管。
11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求10所述的阵列基板。
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