[实用新型]一种单电源IGBT高低压驱动DC-DC变换器

权利要求书

1.一种单电源IGBT高低压驱动DC-DC变换器，包括一台主机、一条驱动信号电缆和一条电源电缆，其特征是：主机有一个长方形扁平外壳，主机外壳的一个侧面设有驱动信号插座，该驱动信号插座与驱动信号电缆相连；主机另一个侧面设有电源插座，该电源插座与电源电缆相连；主机外壳内部装有一块电路板，该电路板的电路由交流EMC及降压电路、整流滤波及DC稳压电路、驱动信号变换电路、+15V高压变换电路、-5V低压变换电路、IGBT栅极驱动电路组成；电路板上的驱动信号与主机外壳的驱动信号插座相连，电路板的AC220V与主机外壳的电源插座相连。

2.根据权利要求1所述的一种单电源IGBT高低压驱动DC-DC变换器，其特征是：所述的交流EMC及降压电路由熔断器F1，电容C1、电容C2、电容C3，电抗器L1、热敏电阻R1，变压器T1组成；交流电压火线经熔断器R1与电抗器L1的管脚1相连，电抗器L1的管脚2接零线，电容C1跨接在L1的管脚1、管脚2之间，电抗器L1的管脚3经电容C2、电容C3与L1的管脚4相连，电容C2、电容C3之间的引出线接地，热敏电阻R1跨接在在电抗器L1的管脚3、管脚4之间，变压器T1的管脚1和R1、电容C2的公共端相连，变压器T1的管脚2和热敏电阻R1、电容C3的公共端相连；所述的整流滤波及DC稳压电路由整流桥BR1，电容E1、电容E2、电容C4、电容C5，电阻R2、电阻R3，稳压块IC1组成，整流桥BR1的管脚2与变压器T1的管脚3相连，整流桥BR1的管脚3与变压器T1的管脚4相连，整流桥BR1的管脚1与稳压块IC1的管脚3相连，整流桥BR1的管脚4与地线GND相连，电容E1跨接在整流桥BR1的管脚1、管脚4之间，电容C4跨接在稳压块IC1的管脚3与地线GND之间，稳压块IC1的管脚1经电阻R3与地线GND相连，稳压块IC1的管脚2经电阻R2与稳压块IC1的管脚1相连，电容E2跨接在稳压块IC1的管脚2与地线GND之间，电容C5跨接在稳压块IC1的管脚2与地线GND之间，稳压块IC1的管脚2输出电压V3；所述的驱动信号变换电路由晶体管Q1、晶体管Q2，电阻R4、电阻R6、电阻R7、电阻R8，电容C6组成，驱动信号经电阻R8与晶体管Q1的管脚1相连，晶体管Q1的管脚2经电阻R4与电源V3相连，晶体管Q1的管脚2与电阻R4之间引出线与晶体管Q2的管脚1相连，晶体管Q2的管脚2经电阻R7与电源V3相连，电阻R6跨接在晶体管Q2的管脚1电源V3之间，电容C6跨接在晶体管Q2管脚1、晶体管Q1管脚2、电阻R4、电阻R6的公共端与地线GND之间，晶体管Q1的管脚3与晶体管Q2的管脚3相连后，之间的引出线与地线GND相连；所述的+15V高压变换电路由晶体管Q3、晶体管Q4，电阻R9、电阻R10组成，晶体管Q3的管脚1与晶体管Q4的管脚1相连，其引出线与晶体管Q2的管脚2相连，晶体管Q3的管脚3经电阻R9、电阻R10与晶体管Q4的管脚2相连，晶体管Q4的管脚3与地线GND相连；所述的-5V低压变换电路由电容C7、电容C8、电容E3，电阻R4，稳压管D2组成，电源V3经电阻R4、稳压管D2与地线GND相连，电容C7、电容C8、电容E3跨接在稳压管D2两端；所述的IGBT栅极驱动电路由电阻R11、双向稳压管D1、IGBT模块BG1组成，电阻R11与稳压管D2并联后，其中一端与电阻R9、电阻R10之间的引出线相连，另一端与电容C7、电容C8、电容E3、稳压管D2的公共端相连，IGBT模块BG1的管脚2与电源VDC相连，IGBT模块BG1的管脚1与电阻R9、电阻R10、电阻R11、双向稳压管D1的公共端相连，IGBT模块BG1的管脚3与电容C7、电容C8、电容E3、稳压管D2、电阻R11、双向稳压管D1的公共端相连；所述的稳压块IC1的型号为LM317。