[实用新型]一种间距记录装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种间距记录装置。

背景技术

目前，随着半导体制造领域的发展，对于每一制程的精准度要求都有所提高。在芯片制造过程中，大部分所需的薄膜材料，不论是导体、半导体还是介电材料，都可以用化学气相淀积(CVD)来制备，如二氧化硅膜、氮化硅膜、多晶硅膜等。化学气相淀积是把含有构成薄膜元素的气态反应剂引入反应室，在晶圆表面发生化学反应，从而生成所需的固态薄膜并淀积在其表面。而晶圆表面淀积的薄膜厚度直接影响晶圆的性能，而在进行CVD工艺时，CVD反应腔中的喷淋头与加热台之间的距离会影响晶圆表面淀积的薄膜厚度，距离越远，淀积的薄膜越薄。因此提高对于喷淋头与加热台之间的距离测试的精准度具有重要的意义。

现有技术中，测量喷淋头与加热台之间的距离的方法为：通过使用铝箔球，利用铝箔球的形状可塑性，将铝箔球放置于喷淋头下方的加热台的测试点位置；开启CVD反应腔，喷淋头会下降到预设的高度，对铝箔球进行挤压变形；取出经挤压的铝箔球，用游标卡尺测量铝箔球挤压变形的两个平行平面的距离，进而确定喷淋头与加热台之间的距离。

但是，现有技术所设计的间距记录方法，由于铝箔球质软，在用游标卡尺确定距离时，容易在测量时发生二次形变，导致测量的距离有误差，从而导致最终测量的距离精准度不高，使得淀积薄膜厚度不符合要求，进而影响产品的良率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种间距记录装置，以解决现有技术的气相淀积制程的测距方法中，由于铝箔球质软，容易在测量时发生二次形变，致使最终测量的距离精准度不高，使得淀积薄膜厚度不符合要求，影响产品的良率的问题。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种间距记录装置，所述间距记录装置，包括：一平面基座、一伸缩单元及一平面承压头；

所述伸缩单元的一端与所述平面基座连接；所述伸缩单元的另一端与所述平面承压头连接；其中，所述伸缩单元包括：第一腔体和嵌套于所述第一腔体内的第二腔体；

所述平面承压头第一表面与所述平面基座的第二表面平行，所述平面承压头第二表面与所述第二腔体相连。

可选的，在所述的间距记录装置中，所述第一腔体与所述第二腔体之间的距离小于等于0.1mm。

可选的，在所述的间距记录装置中，所述第一腔体的体壁上设置有多个螺丝，所述多个螺丝贯穿所述第一腔体的体壁。

可选的，在所述的间距记录装置中，所述平面基座的侧面设置有夹持单元。

可选的，在所述的间距记录装置中，所述夹持单元的形状为长方体或者圆柱体。

可选的，在所述的间距记录装置中，所述平面基座的形状为圆柱体、长方体或者正方体。

可选的，在所述的间距记录装置中，所述平面承压头的形状为圆柱体、长方体或者正方体。

可选的，在所述的间距记录装置中，所述间距记录装置的材质为铝镁合金。

在本实用新型所提供的间距记录装置中，通过对平面基座、伸缩单元及平面承压头的结构设计，其中，利用伸缩单元的伸缩性，使得在收到挤压时可以收缩变形，当挤压消除后，之前的收缩变形可以维持原状；通过用游标卡尺测量平面承压头的第一表面与平面基座的第二表面之间的距离，从而确定喷淋头与加热台之间的距离。进而避免了现有技术的气相淀积制程的测距方法中，由于铝箔球质软，容易在测量时发生二次形变，致使最终测量的距离精准度不高，使得淀积薄膜厚度不符合要求，影响产品的良率的问题。

附图说明

图1是本实用新型间距记录装置的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的间距记录装置作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。

请参考图1，其为本实用新型实施例的间距记录装置的结构示意图。如图1所示，所述间距记录装置包括：一平面基座1、一伸缩单元2及一平面承压头3；所述伸缩单元2的一端与所述平面基座1连接；所述伸缩单元2的另一端与所述平面承压头3连接；其中，所述伸缩单元2包括：第一腔体20和嵌套于所述第一腔体20内的第二腔体21；所述平面承压头3第一表面与所述平面基座3的第二表面平行，所述平面承压头3第二表面与所述第二腔体21相连。

本实用新型的间距记录装置应用的原理：