[实用新型]锂电池保护电路

说明书

技术领域：

本实用新型涉及一种保护电路，尤其是一种锂电池保护电路。

背景技术：

为防止锂电池在充电过程中过充或者在放电过程中过放，以及短路时引起的电池工作效率低下等问题，需要给锂电池加上一个保护电路。现在的锂电池常用的保护方法是在锂电池的两管脚连接DW01芯片，通过DW01芯片能够有效的控制锂电池过充或者过放。可是当锂电池在充电时与外部电源接反了，容易引起DW01芯片烧坏。

发明内容：

本实用新型的目的是解决现有技术不足，提供一种锂电池保护电路。

本实用新型的技术方案：

一种锂电池保护电路，包括充电端P+、充电端P-、二极管D1、锂离子保护芯片、MOS晶体管Q1和MOS晶体管Q2，锂离子保护芯片的V_DD管脚通过电阻R1与锂电池的正极相连，充电端P+与锂电池的正极相连，锂离子保护芯片的V_DD管脚通过电容C1与锂电池的负极相连，锂离子保护芯片的D_OUT管脚与MOS晶体管Q1的栅极相连，MOS晶体管Q1的漏极与锂电池的负极相连，MOS晶体管Q1的源极与MOS晶体管Q2的漏极相连，MOS晶体管Q2的栅极与锂离子保护芯片的C_OUT管脚相连，MOS晶体管Q2的源极与充电端P-相连，锂离子保护芯片的V^-管脚通过电阻R2与充电端P-相连，锂离子保护芯片的V^-与二极管D1的正极相连，二极管D1的负极与充电端P+相连。

其中，锂离子保护芯片的C_OUT管脚与MOS晶体管Q2的栅极间设有二极管D2，且锂离子保护芯片的C_OUT管脚与二极管D2的正极相连，MOS晶体管Q2的栅极与二极管D2的负极相连。

其中，MOS晶体管Q2的栅极与源极之间设有电阻R3。

其中，电阻R3上并联有电容C2。

其中，锂离子保护芯片为DW01。

其中，MOS晶体管Q1和MOS晶体管Q2集成在一个芯片内，芯片为CEG8205。

本实用新型的有益效果：与现有技术的锂电池保护电路相比，增加了对锂电池保护电路的芯片的保护，通过在锂电池保护电路的芯片的V^-管脚增加二极管D1，在C_OUT管脚增加二极管D2，防止锂电池在反向充电或在放电时对芯片的烧坏。

附图说明

图1为本实用新型实施例一的电路图；

图2为本实用新型实施例二的电路图。

具体实施方式：

为阐述本实用新型的思想及目的，下面将结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步的说明。

实施例一，如图1所示，本实用新型的一种锂电池保护电路，包括充电端P+、充电端P-、二极管D1、锂离子保护芯片、MOS晶体管Q1和MOS晶体管Q2，锂离子保护芯片的V_DD管脚通过电阻R1与锂电池的正极相连，充电端P+与锂电池的正极相连，锂离子保护芯片的V_DD管脚通过电容C1与锂电池的负极相连，锂离子保护芯片的D_OUT管脚与MOS晶体管Q1的栅极相连，MOS晶体管Q1的漏极与锂电池的负极相连，MOS晶体管Q1的源极与MOS晶体管Q2的漏极相连，MOS晶体管Q2的栅极与锂离子保护芯片的C_OUT管脚相连，MOS晶体管Q2的源极与充电端P-相连，锂离子保护芯片的V^-管脚通过电阻R2与充电端P-相连，锂离子保护芯片的V^-与二极管D1的正极相连，二极管D1的负极与充电端P+相连。在本实施例中，锂离子保护芯片为DW01，MOS晶体管Q1和MOS晶体管Q2集成在一个芯片内，芯片为CEG8205。

DW01的锂离子保护芯片在保护锂电池过程中，当出现短路或者放电过流时，使得D_OUT管脚控制MOS晶体管Q1断开，这时在反向充电器的作用下可能使得V-管脚的电平高于V_DD+0.3V，V-管脚内部可能会被击穿，造成保护芯片的损坏。为了防止这种情况的发生，在V-和P+之间接二极管D1，从而保证V-管脚的电平不高于V_DD+0.3V，从而有效的保护了V-管脚。在加入D1后对锂离子保护芯片的工作没有影响。