[实用新型]一种新型正面结构太阳电池

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种太阳电池，具体涉及一种新型正面结构太阳电池。

背景技术

目前，随着光伏行业竞争的日益激烈和市场对高品质光伏产品的迫切要求，提高太阳能电池转化效率，降低成本成为太阳能电池技术发展的首要任务。常规商业化电池效率的提高，一般都伴随着浆料技术的进步，减小接触电阻以及线电阻等来获得串联减小和填充的增加从而提高效率。且银浆在整个太阳电池制备过程中接近一半的成本，浆料技术的进步并没有带来成本的降低。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种新型正面结构太阳电池，减小太阳电池正面接触电阻，提高填充因子，增加短路电流并且减小正面银浆用量的方法。

本实用新型解决技术问题所采用的技术方案是：一种新型正面结构太阳电池，包括正电极、钝化层、P-N结、P型衬底、背电场和背电极，其特征在于：在所述钝化层上设有若干开口，并在所述钝化层上沉积一层ITO薄膜层。

作为一种优选，所述钝化层厚度为10nm-70nm ；所述ITO薄膜层厚度为10nm-70nm；所述开口宽度为20um-200um。

本实用新型根据传统电池工序制备，只需对钝化层进行开口处理，使用激光或者类似于MERCK等腐蚀性浆料进行开口处理。然后沉积一层ITO薄膜即可，对现有工序改动很小，容易集成。

本实用新型的有益效果是: 在所述钝化层上设有若干开口，在已经开口处理的钝化膜层上沉积一层透明导电的ITO薄膜，用于减小接触电阻。且通过优化ITO薄膜和钝化层薄膜的厚度，可以达到减小反射率提高电池短路电流的目的。

附图说明

图1为本实用新型实施例的结构示意图。

下面结合附图对本实用新型做进一步说明。

具体实施方式

实施例1：如附图1所示，一种新型正面结构太阳电池，包括正电极1、钝化层4、P-N结5、P型衬底6、背电场7和背电极8，在钝化层4上设有若干开口3，并在所述钝化层4上沉积一层ITO薄膜层2。其中钝化层4厚度为50nm ；ITO薄膜层2厚度为30nm；开口3宽度为30um。

实施例2：另一种新型正面结构太阳电池，其中钝化层厚度为20nm ；ITO薄膜层厚度为60nm；开口宽度为50um。其它与实施例1相同。

实施例3：第三种新型正面结构太阳电池，其中钝化层厚度为10nm ；ITO薄膜层2厚度为70nm；开口3宽度为100um。其它与实施例1相同。

实施例4：第四种新型正面结构太阳电池，其中钝化层厚度为60nm ；ITO薄膜层2厚度为20nm；开口3宽度为150um。其它与实施例1相同。

实施例5：第五种新型正面结构太阳电池，其中钝化层厚度为70nm ；ITO薄膜层2厚度为10nm；开口3宽度为200um。其它与实施例1相同。