[发明专利]自洁净薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种自洁净薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(a)将热塑性聚合物薄膜清洗干净；

(b)将聚合物薄膜放置在加热板上，将模板具有微纳复合结构的一面压在聚合物薄膜上；

(c)加热加热板，使加热板表面温度达到聚合物材料的玻璃态温度，聚合物产生流动性，模板在压力作用下完全压入聚合物内部；

(d)使加热板冷却至室温，然后分离模板；再将聚合物薄膜从加热板上剥离下来，获得自洁净薄膜，该自洁净薄膜表面出现微纳复合结构，即微结构为凹凸结构，而凹凸结构表面还具有纳米级的孔洞和/或柱阵列。

2.根据权利要求1所述的一种自洁净薄膜的制备方法，其特征在于，模板的微米结构是微米级的凹凸结构，其凹凸结构的高度小于聚合物薄膜的厚度；纳米结构是纳米柱和/或纳米孔阵列结构。

3.根据权利要求1所述的一种自洁净薄膜的制备方法，其特征在于，热塑性聚合物薄膜的厚度为1um-1000um。

4.根据权利要求1所述的一种自洁净薄膜的制备方法，其特征在于，所述模为金属模板或聚合物模板。

5.根据权利要求1所述的一种自洁净薄膜的制备方法，其特征在于，所述热塑性聚合物薄膜为透明薄膜。

6.根据权利要求1所述的一种自洁净薄膜的制备方法，其特征在于，微纳复合结构的模板的制备方法，包括以下步骤：

(1)将铝薄片清洁干净；

(2)在清洁的铝薄片表面涂敷一层光刻胶；

(3)对铝薄片上的光刻胶进行微图形化加工，形成光刻胶的微米图形结构；

(4)以光刻胶微米图形结构为掩膜进行刻蚀，对铝薄片进行图形化加工；

(5)去除铝薄片表面的光刻胶图形化结构层，得到的铝薄片上形成的微米级凸起和凹下结构，制得微图形化的铝薄片；

(6)采用阳极氧化法，将上步得到的微图形化的铝薄片作为阳极，以铜或铂作为阴极，浸没于电解液中，进行电解，在铝薄片的微米级凸起和凹下结构上形成纳米级的孔阵列；

(7)将铝薄片从电解液中取出，清洗干净即得到具有微纳复合结构的铝薄片；

(8)采用电铸法，以步骤(7)中得到的具有微纳复合结构的铝薄片为母板，在金属电解液中进行电铸，形成与铝薄片上微纳复合结构互补的微纳复合结构模板；

(9)去除铝薄片母板，得到微纳复合结构的金属模板；此金属模板的微米结构为凹凸结构，而纳米结构为凹凸结构上的纳米柱阵列。

7.根据权利要求6所述的一种自洁净薄膜的制备方法，其特征在于，采用浇筑法，将液态的聚合物浇筑于步骤(9)制得的金属材质的微纳复合结构模板上，然后固化聚合物，得到聚合物材料的微纳复合结构模板；该聚合物材料的微纳复合结构模板，其微米结构为凹凸结构，而纳米结构为凹凸结构上的纳米孔阵列。