[发明专利]一种Cf/SiC多孔陶瓷及其制备方法有效
申请号: | 201410828518.4 | 申请日: | 2015-08-04 |
公开(公告)号: | CN104496517A | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
发明(设计)人: | 李翠艳;欧阳海波;黄剑锋;曹丽云;朱敏;费杰;孔新刚 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | C04B38/00 | 分类号: | C04B38/00;C04B35/80;C04B35/565 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 蔡和平 |
地址: | 710021*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cf sic 多孔 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于多孔陶瓷材料制备技术领域,涉及一种Cf/SiC多孔陶瓷及其制备方法。
背景技术
碳化硅多孔陶瓷不仅具有陶瓷基体的优良性能,而且还具有密度低、热膨胀系数小、强度高、耐高温、耐腐蚀等特点,故碳化硅多孔陶瓷被广泛应用于汽车尾气净化器、熔融金属过滤器、保温和隔音材料及汽车尾气的催化剂载体等。目前,对碳化硅多孔陶瓷的研究热点集中在降低多孔陶瓷的烧结温度、提高孔隙率且使其孔隙形状可控。然而,研究发现当碳化硅多孔陶瓷的孔隙率增大,其抗压强度显著降低,使碳化硅多孔陶瓷在各领域的应用受到限制。碳纤维具有优异的力学性能,如高比强度、高比模量,特别是在2000℃以上高温惰性环境中,是唯一强度不下降的物质,因此在复合材料领域,碳纤维被广泛用于复合材料增强体。碳纤维增强碳化硅(Cf/SiC)复合材料多采用化学气相沉积、前驱体浸渍裂解、熔融浸渍等方法制备致密的复合材料,而对Cf/SiC多孔陶瓷的研究,很少有报道。申请号为201110004575.7的中国发明专利公开了一种Cf/SiC复合材料有序多孔陶瓷接头的制备方法,该方法首先制备含有氧化硅凝胶小球的Cf/SiC复合材料模板,然后将模板经过浸渍-裂解陶瓷先驱体,再用氢氟酸腐蚀掉氧化硅凝胶小球,即制得Cf/SiC复合材料有序多孔陶瓷接头。但是,该方法存在所制备Cf/SiC多孔陶瓷孔隙率低,孔隙结构不可控、制备工艺复杂等问题。
鉴于以上缺陷,实有必要提供一种可以解决以上技术问题的方法以制备高孔隙率、孔隙结构可控且抗压强度高的Cf/SiC多孔陶瓷。
发明内容
为了克服上述现有技术存在的缺陷,本发明的目的在于提供一种Cf/SiC多孔陶瓷及其制备方法,该方法操作简单,制备周期短,成本低;所制备的Cf/SiC多孔陶瓷具有良好的抗压强度,孔隙率达60~85%,且孔隙结构可控。
为实现上述目的,本发明是通过以下技术方案来实现:
一种Cf/SiC多孔陶瓷的制备方法,包括以下步骤:
1)将生物质碳源溶于水中,配制浓度为50~100g/L的碳源溶液;
2)将短切碳纤维预制件和碳源溶液放入微波消解罐中,然后再将微波消解罐放入微波水热合成仪中,在170~210℃下进行反应1~5h,然后自然冷却至室温,干燥后碳微球粘结的碳纤维骨架;
3)将碳微球粘结的碳纤维骨架浸渗于硅溶胶中30~150min后进行干燥,得到碳纤维预制体;
4)将碳纤维预制体在氩气气氛中于1350~1550℃下煅烧0.5~2.5h,然后自然降至室温,得到Cf/SiC多孔陶瓷。
所述步骤1)中生物质碳源为葡萄糖、蔗糖或淀粉。
所述步骤2)中碳纤维预制体的密度为0.20~0.40g/cm3。
所述步骤2)中微波消解罐的填充度为60%。
所述步骤2)中干燥的温度为50~90℃,干燥时间为1.5~3.5h。
所述步骤3)中硅溶胶中SiO2的质量浓度为10%~30%,且硅溶胶为碱性硅溶胶、中性硅溶胶或改性酸性硅溶胶。
所述步骤3)中干燥的温度为50~90℃,干燥时间为1~3h。
一种Cf/SiC多孔陶瓷的孔隙率为60~85%,抗压强度为15~25MPa。
与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:本发明将短切碳纤维预制件作为骨架,采用微波水热法在碳纤维表面沉积碳微球,得到碳微球粘结的碳纤维骨架;再将碳微球粘结的碳纤维骨架浸渗硅溶胶,最后在氩气气氛中煅烧得Cf/SiC多孔陶瓷。本发明中采用微波水热法将纳米级碳微球引入碳纤维预制件,不仅提供了反应所需碳源,而且使碳纤维相互粘结,有效提高碳纤维预制件骨架的抗压强度。本发明中硅溶胶为纳米级的SiO2颗粒在水中或溶剂中的分散液,由于含有的纳米级SiO2颗粒,对碳微球粘结的碳纤维骨架有较强的渗透力,所以纳米级SiO2颗粒能通过毛细管渗透到骨架内部;当硅溶胶的水份蒸发时,胶体粒子间形成硅氧结合,牢固地附着在碳纤维骨架中的碳微球表面,有利于在较低温度下反应生成SiC。本发明的制备方法操作简单,制备周期短,成本低。本发明制备的Cf/SiC多孔陶瓷具有良好的抗压强度,抗压强度具体为15~25MPa,孔隙率达60~85%,孔隙结构可控。
附图说明
图1是本发明制备的Cf/SiC多孔陶瓷的X-射线衍射(XRD)图谱;
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