[发明专利]一种Cf/SiC多孔陶瓷及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410828518.4 申请日: 2015-08-04
公开(公告)号: CN104496517A 公开(公告)日: 2015-07-29
发明(设计)人: 李翠艳;欧阳海波;黄剑锋;曹丽云;朱敏;费杰;孔新刚 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: C04B38/00 分类号: C04B38/00;C04B35/80;C04B35/565
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 蔡和平
地址: 710021*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 cf sic 多孔 陶瓷 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种Cf/SiC多孔陶瓷的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

1)将生物质碳源溶于水中,配制浓度为50~100g/L的碳源溶液;

2)将短切碳纤维预制件和碳源溶液放入微波消解罐中,然后再将微波消解罐放入微波水热合成仪中,在170~210℃下进行反应1~5h,然后自然冷却至室温,干燥后碳微球粘结的碳纤维骨架;

3)将碳微球粘结的碳纤维骨架浸渗于硅溶胶中30~150min后进行干燥,得到碳纤维预制体;

4)将碳纤维预制体在氩气气氛中于1350~1550℃下煅烧0.5~2.5h,然后自然降至室温,得到Cf/SiC多孔陶瓷。

2.根据权利要求1所述的一种Cf/SiC多孔陶瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤1)中生物质碳源为葡萄糖、蔗糖或淀粉。

3.根据权利要求1所述的一种Cf/SiC多孔陶瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤2)中碳纤维预制体的密度为0.20~0.40g/cm3

4.根据权利要求1所述的一种Cf/SiC多孔陶瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤2)中微波消解罐的填充度为60%。

5.根据权利要求1所述的一种Cf/SiC多孔陶瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤2)中干燥的温度为50~90℃,干燥时间为1.5~3.5h。

6.根据权利要求1所述的一种Cf/SiC多孔陶瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤3)中硅溶胶中SiO2的质量浓度为10%~30%,且硅溶胶为碱性硅溶胶、中性硅溶胶或改性酸性硅溶胶。

7.根据权利要求1所述的一种Cf/SiC多孔陶瓷的制备方法,其特征在于,所述步骤3)中干燥的温度为50~90℃,干燥时间为1~3h。

8.一种根据权利要求1~7中任意一项所述的方法制备的Cf/SiC多孔陶瓷,其特征在于,Cf/SiC多孔陶瓷的孔隙率为60~85%,抗压强度为15~25MPa。

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