[发明专利]金属基带上外延CeO2厚膜的电化学沉积方法

权利要求书

1.一种金属基带上外延CeO₂厚膜的电化学沉积方法，其特征在于，具体工艺步骤为：

a．配置溶液过程：首先称取定量的无机铈盐作为溶质，然后用二甲基亚砜或含有1~10%无水乙醇的二甲基亚砜试剂作为溶剂，将无机铈盐稀释溶解，通过密封搅拌接近10个小时，形成铈离子浓度为1~5 mmol/L的铈盐溶液；

b. 电沉积过程：将在所述步骤a中制备的铈盐溶液倒入沉积反应容器中，将金属基带作为阴极，另外采用辅助电极作为阳极，形成电镀反应装置，金属基带在沉积前依次在丙酮和无水乙醇中超声清洗5 min，沉积过程采用恒流模式，电流密度为0.1~1 mA/cm², 沉积时间为3 ~ 16 min，通过调整电流密度和沉积时间控制沉积速率和沉积膜的厚度，电化学沉积后将金属基带再依次用无水乙醇漂洗，干燥，获得前驱物膜；

c. 高温退火过程：将在所述步骤b中所得前驱物膜放入非真空高温管式炉，在炉内流动的还原气氛中进行退火热处理，从室温以10℃/min的升温速率升至800~950℃，保温1小时后，随炉自然冷却至室温，即在金属基带上得到厚度为60~ 300nm的外延单层CeO₂缓冲层厚膜。

2.根据权利要求1所述金属基带上外延CeO₂厚膜的电化学沉积方法，其特征在于：在所述步骤b中，采用制备涂层导体缓冲层的方法是非真空方法。

3.根据权利要求1所述金属基带上外延CeO₂厚膜的电化学沉积方法，其特征在于：在所述步骤a中，所述原料无机铈盐为氯化铈。

4.根据权利要求1～3中任意一项所述金属基带上外延CeO₂厚膜的电化学沉积方法，其特征在于：在所述步骤b中，所述辅助电极采用的是FTO导电玻璃。

5.根据权利要求1～3中任意一项所述金属基带上外延CeO₂厚膜的电化学沉积方法，其特征在于：在所述步骤c中，炉内流动的还原气氛为Ar-5%H₂气氛。

6.根据权利要求1～3中任意一项所述金属基带上外延CeO₂厚膜的电化学沉积方法，其特征在于：在所述步骤b中，所述金属基带为NiW基带。