[发明专利]一种像素单元

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示器技术领域，更具体的涉及一种像素单元。

背景技术

FFS(Fringe Field Switching，边缘场开关)模式是一种能够扩宽视角的液晶驱动模式，FFS型TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，超薄膜晶体管液晶显示器)阵列基板中的像素电极为条形，当加电时，像素电极与公共电极之间形成平行于基板的水平电场。如图1所示为现有技术FFS型TFT-LCD阵列基板的一种结构平面图，阵列基板上形成有数据线11和栅线12，相邻的栅线12和数据线11定义了像素区域，每一个像素区域形成有一个薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)、像素电极(Pixel Electrode)13和公共电极(Common Electrode)14，不加电时，像素电极13和公共电极14之间无电场，液晶分子15不发生偏转(如图1中液晶分子15的虚线部分所示)，当加电时，像素电极13和公共电极14之间形成水平电场，液晶分子15沿着电场的方向发生偏转(如图1中液晶分子15的实线部分所示)。

如图2所示为现有技术FFS型TFT-LCD阵列基板的另一种结构平面图，图1与图2所示阵列基板的区别在于：图2中将像素电极的图形在一个像素中呈现反向倾斜的两部分，这种图形的像素电极，虽然在加电后，液晶分子可以进行两种方式的偏转，即形成了双畴的液晶工作模式。

虽然现有的双畴结构在视角方面具有改善作用，但是存在一个缺陷：在像素区域的两个畴区的交界处，如图3A所示的附图标记21所示的位置，液晶受两个畴区像素电极形成的电场的影响，在垂直方向作用力大小相同方向相反，使得液晶无法转动，因此，附图标记21所示的位置上的液晶不能够起到改变光线偏转方向的作用，最终导致除了零阶灰度之外的各灰阶下，光源均无法通过上偏光片，也即，在附图标记21所示的位置上会产生一条黑线。相类似的，靠近交界处的液晶受到两个畴间的上述电极的作用力相近，液晶也会受到影响，转动困难。如图3B所示，两个畴间的交界区域具有一定面积的黑区，液晶显示器的光线穿透率下降。综上所述，现有技术中存在畴间交界区域，合成电场导致液晶无法正常偏转，影响液晶显示器的光线穿透率的问题。

发明内容

本发明实施例提供一种像素单元，用于解决现有技术中畴间交界区域，合成电场导致液晶无法正常偏转，影响液晶显示器的光线穿透率的问题。

本发明实施例提供一种像素单元，包括：

所述像素单元包括第一电极和与所述第一电极之间形成电场的第二电极；

所述第二电极包括上畴电极、下畴电极、畴间电极，所述各上畴电极相互平行，所述各下畴电极相互平行，所述上畴电极与所述下畴电极呈“八”字形状排布且不相交；所述上畴电极包括与所述畴间电极相邻的第一上畴电极，所述下畴电极包括与所述畴间电极相邻的第一下畴电极，且所述畴间电极位于所述第一上畴电极与所述第一下畴电极组成的“八”字形状中的宽口侧；

所述第一上畴电极与所述第一下畴电极位于所述“八”字形状中的窄口侧的距离介于2-10微米。

该结构通过位于“八”字形状窄口侧的畴间电极不相邻，降低了窄口侧畴间电极合成的电场强度，使置于该区域的液晶能够按照合成电场进行正常转动，从而提高了液晶显示器的光线穿透率。

附图说明

图1为现有技术中FFS型TFT-LCD阵列基板的单畴像素结构平面图；

图2为现有技术中FFS型TFT-LCD阵列基板的双畴像素结构平面图；

图3A为现有双畴像素区域产生一条黑线的区域示意图；

图3B为现有双畴像素区域产生一条黑线的仿真示意图；

图4为双畴像素区域中合成电场影响对不同区域液晶转动示意图；

图5为双畴像素区域中两个畴间交界区域处液晶的受力分析示意图；

图6为双畴像素区域中临近两个畴间交界区域的液晶的受力分析示意图；

图7为本发明实施例中仿真实验采用的像素结构示意图；

图8A为本发明实施例中第一组仿真实验中像素单元中光线穿透示意图；

图8B为本发明实施例中第二组仿真实验一中像素单元中光线穿透示意图；

图8C为本发明实施例中第二组仿真实验二中像素单元中光线穿透示意图；

图8D为本发明实施例中第二组仿真实验四中像素单元中光线穿透示意图；