[发明专利]串行存储器装置、存储器系统和执行主动轮询操作的方法

说明书

串行存储器装置、存储器系统和执行主动轮询操作的方法。串行存储器装置向外部主机通知内部自计时操作的完成。在一个实施例中，一种执行主动轮询操作的方法可包括以下步骤：(i)检测要在串行存储器装置中执行的自计时操作；(ii)确定主动轮询模式是否已被使能；(iii)确定自计时操作何时在串行存储器装置中完成执行；以及(iv)当自计时操作已完成执行并且主动轮询模式被使能时，在串行存储器装置外部提供完成指示。

技术领域

本发明总体上涉及半导体存储器领域。更具体地，本发明的实施例与串行存储器装置有关，所述串行存储器装置可以包括电阻式随机存取存储器(Resistive Random-Access Memory，ReRAM)及/或导电桥接RAM(Conductive Bridging RAM，CBRAM)制程与装置。

背景技术

在诸如固态硬盘驱动器、可换式数字相片卡等应用中越来越多地发现非易失性存储器(Non-Volatile Memory，NVM)。闪存是目前使用中的主要NVM技术。然而，闪存有多项限制，诸如相对高的电力以及相对慢的操作速度。其它NVM技术(诸如包括电阻式RAM(ReRAM)及导电桥接RAM(CBRAM)的电阻式切换存储器技术)与闪存技术相比可以提供相对较低的电力以及较高的速度。例如，CBRAM运用具有能够缩小至比闪存装置更小的尺寸的导电桥接单元技术。

发明内容

在一个实施例中，一种串行存储器装置可以包括：(i)命令解码器，其被配置成检测要在所述串行存储器装置中执行的自计时操作；(ii)模式检测器，其被配置成检测主动轮询模式何时被使能；以及(iii)操作完成指示器，其被配置成在所述自计时操作已完成执行并且所述主动轮询模式被使能时在所述串行存储器装置外部提供完成指示。

在一个实施例中，一种执行主动轮询操作的方法包括以下步骤：(i)检测要在串行存储器装置中执行的自计时操作；(ii)确定主动轮询模式是否已使能；(iii)确定所述自计时操作何时在所述串行存储器装置中完成执行；以及(iv)当所述自计时操作已完成执行并且所述主动轮询模式被使能时，在所述串行存储器装置外部提供完成指示。

本发明的特定实施例适用于串行存储器装置(例如，闪存)，并且可包括电阻式切换存储器，例如，电阻式随机存取存储器(ReRAM)及/或导电桥接RAM(CBRAM)存储器单元。

附图说明

图1是示例性存储器装置布置。

图2是示例性公共阳极阵列结构的示意性框图。

图3是示例性可编程阻抗元件与示意性模型的图。

图4是根据本发明实施例的示例性主机与串行存储器装置布置的示意性框图。

图5是根据本发明实施例的示例性串行存储器装置结构的示意性框图。

图6是根据本发明实施例的针对自计时内部操作完成进行通知的例示方法的流程图。

图7是根据本发明实施例的示例性寄存器与自计时内部操作控制的示意性框图。

图8是根据本发明实施例的与自计时内部操作有关的示例性寄存器结构的示意性框图。

图9是根据本发明实施例的针对自计时内部操作完成进行通知的示例性控制的示意性框图。

图10是根据本发明实施例的针对自计时内部操作完成的第一示例性通知的波形图。

图11是根据本发明实施例的针对自计时内部操作完成的第二示例性通知的波形图。

图12是根据本发明实施例的针对自计时内部操作完成的第三示例性通知的波形图。

图13是根据本发明实施例的针对自计时内部操作完成和寄存器更新的通知的示例性方法的流程图。