[发明专利]RFID防伪电路

说明书

RFID防伪电路，涉及RFID技术。本发明包括RFID单元，其特征在于，还包括静电击穿单元和检测放大单元；所述静电击穿单元包括击穿NMOS管和前置二极管保护电路、后置二极管保护电路，PAD端通过前置二极管保护电路连接击穿NMOS管的栅极，击穿NMOS管的栅极还通过后置二极管保护电路连接第一输出点；击穿NMOS管的源极和漏极接地；第一输出点通过检测放大单元接RFID单元。使芯片能通过静电击穿改变内部状态但又不至于损坏。在发生静电击穿后，即确保芯片无法被回收利用，又能确保原来的追溯信息能被正确读取。

技术领域

本发明涉及RFID技术。

背景技术

RFID技术即无线射频识别技术，是一种非接触的自动识别技术，其基本原理是利用射频信号和空间耦合(电感或电磁耦合)或雷达反射的传输特性，实现对被识别物体的自动识别。目前RFID芯片已经开始用于物品的防伪，例如高档白酒的防伪。为了防止造假者回收利用RFID防伪标签，通常是利用防揭、易碎技术在适当的时机将RFID标签破坏掉，但RFID芯片理论上仍可以被取出标签后回收利用，这是一种“机械破坏”方式的防伪。还有一种“电路破坏”方式的防伪，例如中国发明专利“利用静电击穿原理破坏瓶盖中RFID芯片的方法”(201210037777.6)公开了一种方法，用静电击穿的方法直接将RFID芯片破坏掉，解决了上述RFID芯片可以被回收的问题。但是，RFID芯片一旦被破坏，里面的信息完全无法读出，在某些场合会形成不便，例如，首次验证皆在销售商处进行，在不能排除销售商恶意修改读卡设备的情形下，消费者无法自行进行二次查验。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种能够多次验证的RFID防伪电路。

本发明解决所述技术问题采用的技术方案是，RFID防伪电路，包括RFID单元，其特征在于，还包括静电击穿单元和检测放大单元；

所述静电击穿单元包括击穿NMOS管NM0和前置二极管保护电路、后置二极管保护电路，PAD端通过前置二极管保护电路连接击穿NMOS管的栅极，击穿NMOS管的栅极还通过后置二极管保护电路连接第一输出点；击穿NMOS管的源极和漏极接地；

第一输出点通过检测放大单元接RFID单元。

进一步的，所述前置二极管保护电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一二极管、第二二极管、第三二极管，

第一电阻、第二电阻、第三电阻顺次串联于PAD端和击穿NMOS管的栅极之间，

第一二极管正极接地，负极接PAD端；

第二二极管正极接地，负极接第一电阻和第二电阻的连接点；

第三二极管正极接地，负极接第二电阻和第三电阻的连接点。

所述后置二极管保护电路包括第四电阻、第五电阻、第六电阻、第四二极管、第五二极管、第六二极管，

第四电阻、第五电阻、第六电阻顺次串联于击穿NMOS管的栅极和第一输出点之间，

第四二极管正极接地，负极接第四电阻和第五电阻的连接点；

第五二极管正极接地，负极接第五电阻和第六电阻的连接点；

第六二极管正极接地，负极接第一输出点。

本发明的有益效果是，使芯片能通过静电击穿改变内部状态但又不至于损坏。在发生静电击穿后，即确保芯片无法被回收利用，又能确保原来的追溯信息能被正确读取。本发明简单易行，成本低廉，不破坏RFID芯片本身，即发生静电击穿后芯片的基本功能不变，只是内部状态改变。

附图说明

图1是本发明的整体结构示意图。

图2是本发明静电击穿单元的电路图。