[发明专利]一种柔性衬底铜铟镓硒薄膜太阳电池窗口层的制备方法在审
| 申请号： | 201410725110.4 | 申请日： | 2014-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN105655441A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 张瀚铭;乔在祥;赵彦民;赵岳 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十八研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/032 |
| 代理公司： | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人： | 李凤 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 柔性 衬底 铜铟镓硒 薄膜 太阳电池 窗口 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种柔性衬底铜铟镓硒薄膜太阳电池窗口层的制备方法，其特征是：柔性衬底铜铟 镓硒薄膜太阳电池窗口层的制备过程包括的工艺步骤为，在真空室内放入依次镀有 底电极Mo/吸收层CIGS/缓冲层CdS的衬底后，抽真空至1×10-4Pa，通入氩气和 氧气混合气体至0.1－1.0Pa，衬底温度25－200℃，以0.5－1.0W/cm2的靶功率密度 溅射本征氧化锌靶，制备30-80nm厚本征氧化锌薄膜；再通入氩气至0.1－1.0Pa， 以1.5－5.0W/cm2的靶功率密度溅射ZAO靶，制备300-800nm厚的ZAO薄膜，最后产 品通过放置于薄膜表面上方的加热器，以200-300℃温度对其表面进行退火，形成致 密高透过性高导电性铜铟镓硒太阳电池窗口层。
2.根据权利要求1所述的柔性衬底铜铟镓硒薄膜太阳电池窗口层的制备方法，其特征 是：柔性衬底为金属材料钛箔、不锈钢箔或聚酰亚胺薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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