[发明专利]物理冶金多晶硅太阳能电池的磷扩散方法有效
| 申请号： | 201410708186.6 | 申请日： | 2014-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN104404626A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 邹凯;和江变;郭凯华;郭永强;孟德龙;宗灵仑;李健 | 申请（专利权）人： | 内蒙古日月太阳能科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B31/18 | 分类号： | C30B31/18;C30B31/08 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 于宝庆;吴娅妮 |
| 地址： | 010111 内蒙古*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 物理 冶金 多晶 太阳能电池 扩散 方法 | ||
1.一种物理冶金多晶硅太阳能电池的磷扩散方法，包括，
1)将清洗制绒后的硅片进行第一恒温热处理；
2)将经步骤1)处理后的硅片进行第二恒温热处理；
3)将经步骤2)处理后的硅片进行氧化处理；
4)向步骤3)处理后的硅片通磷源进行磷扩散处理；
5)将经步骤4)处理后的硅片进行退火处理。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述步骤4)的磷扩散处理包括第一扩散处理和第二扩散处理，所述第一扩散处理包括低温预沉积步骤和升温步骤，所述第二扩散处理包括a)低温沉积；b)升温推进；c)再沉积；d)高温推进；e)高温再分布。
3.根据权利要求2所述的方法，所述第一扩散处理包括：
于770～790℃，向所述硅片通大氮、氧气及携源小氮，大氮流量为20000～21000sccm，氧气流量为200～350sccm，携源小氮流量为300～450sccm，时间为60～150s；及
于790～810℃，向经上述处理后的硅片通大氮及氧气，大氮流量为20000～21000sccm，氧气流量为200～400sccm，时间为90～220s。
4.根据权利要求2所述的方法，所述第二扩散处理包括：
a)于790～810℃，向经所述第一扩散处理后的硅片通大氮、氧气及携源小氮，大氮流量为22000～24000sccm，氧气流量为600～1000sccm，携源小氮流量为900～1100sccm，时间为200～400s；
b)于810～830℃，向经步骤a)处理后的硅片通大氮，大氮流量为20000～22000sccm，时间为200～400s；
c)于810～830℃，向经步骤b)处理后的硅片通大氮、氧气及携源小氮，大氮流量为22000～24000sccm，氧气流量为700～1100sccm，携源小氮流量为900～1400sccm，时间为200～400s；
d)于830～850℃，向经步骤c)处理后的硅片通大氮，大氮流量为20000～22000sccm，时间为200～400s；
e)于830～850℃，向经步骤d)处理后的硅片通大氮、氧气及携源小氮，大氮流量为22000～24000sccm，氧气流量为700～1100sccm，携源小氮流量为900～1400sccm，时间为400～700s。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一恒温热处理包括，于670～820℃，向所述硅片通大氮，大氮流量为19000～20000sccm，时间为200～400s。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二恒温热处理包括，于770～820℃，向经所述第一恒温热处理的硅片通大氮，大氮流量为19000～20000sccm，时间为180～360s。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述步骤3)包括，于770～820℃，向经第二恒温处理的硅片通大氮和干氧，大氮流量为19000～20000sccm，氧气流量为700～1200sccm，氧化时间为200～300s。
8.一种物理冶金多晶硅太阳能电池的磷扩散方法，包括，
1)将清洗制绒后的硅片进行恒温热处理；
2)将经步骤1)处理后的硅片进行氧化处理；
3)向步骤2)处理后的硅片通磷源进行磷扩散处理；
4)将经步骤3)处理后的硅片进行退火处理；
其中，所述步骤3)的磷扩散处理包括第一扩散处理和第二扩散处理，所述第一扩散处理包括低温预沉积步骤和升温步骤；所述第二扩散处理包括a)低温沉积；b)升温推进；c)再沉积；d)高温推进；e)高温再分布。
9.根据权利要求8所述的方法，所述第一扩散处理包括：
于770～790℃，向所述硅片通大氮、氧气及携源小氮，大氮流量为20000～21000sccm，氧气流量为200～350sccm，携源小氮流量为300～450sccm，时间为60～150s；及
于790～810℃，向经上述处理后的硅片通大氮及氧气，大氮流量为20000～21000sccm，氧气流量为200～400sccm，时间为90～220s。
10.根据权利要求8所述的方法，所述第二扩散处理包括：
a)于790～810℃，向经所述第一扩散处理后的硅片通大氮、氧气及携源小氮，大氮流量为22000～24000sccm，氧气流量为600～1000sccm，携源小氮流量为900～1100sccm，时间为200～400s；
b)于810～830℃，向经步骤a)处理后的硅片通大氮，大氮流量为20000～22000sccm，时间为200～400s；
c)于810～830℃，向经步骤b)处理后的硅片通大氮、氧气及携源小氮，大氮流量为22000～24000sccm，氧气流量为700～1100sccm，携源小氮流量为900～1400sccm，时间为200～400s；
d)于830～850℃，向经步骤c)处理后的硅片通大氮，大氮流量为20000～22000sccm，时间为200～400s；
e)于830～850℃，向经步骤d)处理后的硅片通大氮、氧气及携源小氮，大氮流量为22000～24000sccm，氧气流量为700～1100sccm，携源小氮流量为900～1400sccm，时间为400～700s。
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