[发明专利]用于控制非易失性存储器的控制器和包括其的半导体器件

说明书

一种控制非易失性存储器的控制器包括：第一存储区，其适于储存第一地址表；第二存储区，其适于储存第二地址表；地址转换块，其适于参照第一地址表和第二地址表将从主机接收的扇区地址转换成与非易失性存储器相对应的物理地址；以及一个或更多个功能块，其适于与地址转换块共享第二存储区。地址转换块独占使用第一储存区。

相关申请的交叉引用

本申请要求2014年6月3日提交的申请号为10-2014-0067860的韩国专利申请的优先权，其全部公开内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的各种示例性实施例涉及一种电子器件，且更具体而言，涉及一种用于控制非易失性存储器的控制器和包括所述控制器的半导体器件。

背景技术

半导体存储器件是由诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等的半导体形成的存储器件。半导体存储器件主要分类成易失性存储器件和非易失性存储器件。

易失性存储器件是当其电源切断时储存的数据消失的存储器件。易失性存储器件包括：静态随机存取存储器(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)等。非易失性存储器件是即使当其电源切断时也能保持储存的数据的存储器件。非易失性存储器件包括：只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、快闪存储器、相变RAM(PRAM)、磁阻RAM(MRAM)、阻变RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。快闪存储器主要分类成或非型(NOR)或与非型(NAND)。

发明内容

本发明的各种示例性实施例针对一种增加具有减小尺寸的内部随机存取存储器(RAM)的操作速度的控制器。

本发明的一个实施例提供了一种控制非易失性存储器的控制器，所述控制器包括：第一存储区，其适于储存第一地址表；第二存储区，其适于储存第二地址表；地址转换块，其适于访问第一存储区和第二存储区，并且参照第一地址表和第二地址表将从主机接收的扇区地址转换成与非易失性存储器相对应的物理地址；以及一个或更多个功能块，其适于与地址转换块共享第二存储区，其中，地址转换块独占使用第一存储区。

作为一个实施例，所述地址转换块可以以小组块为单位将地址映射从非易失性存储器加载至第一存储区，以产生第一地址表，小组块包括M个扇区地址，以及地址转换块可以以大组块为单位将地址映射从非易失性存储器加载至第二存储区，以产生第二地址表，大组块包括N个扇区地址，N大于M。

作为一个实施例，所述地址转换块可以确定出包括来自主机的扇区地址的小组块，以及在第一地址表中搜索确定出的小组块。

作为一个实施例，当在第一地址表中存在确定出的小组块时，地址转换块可以参照搜索出的小组块的地址映射将从主机接收的扇区地址转换成物理地址，以及当在第一地址表中不存在确定出的小组块时，地址转换块可以确定出包括从主机接收到的扇区地址的大组块，并且在第二地址表中搜索确定出的大组块。

作为一个实施例，地址转换块可以参照搜索出的大组块的地址映射将从主机接收的扇区地址转换成物理地址。

作为一个实施例，当从主机接收的扇区地址对应于热数据时，地址转换块可以确定出包括从主机接收到的扇区地址的小组块，从非易失性存储器读取确定出的小组块中的地址映射，以及在第一地址表中更新读取的地址映射。

作为一个实施例，地址转换块可以参照小组块的更新的地址映射确定物理地址。

作为一个实施例，当从主机接收的扇区地址对应于冷数据时，地址转换块可以确定包括从主机接收的扇区地址的大组块，从非易失性存储器读取确定出的大组块中的地址映射，以及在第二地址表中更新读取的地址映射。

作为一个实施例，地址转换块可以参照大组块的更新的地址映射确定物理地址。