[发明专利]一种3He管中子探头信号快速成形处理电路

权利要求书

1.一种³He管中子探头信号快速成形处理电路，其特征在于：包括依次级联的三级放大电路；输入信号连接到第一级放大电路的输入端上，第一级放大电路的输出端与第二级放大电路的输入端相连，第二级放大电路的输出端与第三级放大电路的输入端相连，第三级放大电路的输出端为信号输出端。

2.根据权利要求1所述的³He管中子探头信号快速成形处理电路，其特征在于：所述的第一级放大电路包括一级放大器(U1)，一级放大器(U1)的正向输入端连接到电解电容(C10)的正极上，电解电容(C10)的负极接地；一级放大器(U1)的反向输入端接第一电阻(R2)后与一级放大器(U1)的输出端之间并联有第二电容(C3)和调节电阻(R4)，第二电容(C3)和调节电阻(R4)一端的节点与第一电容(C2)的一端相连，第一电容(C2)的另一端为信号输入端；第一电阻(R2)与电解电容(C10)的一端相连后连接到第一二极管(D1)的阴极，第一二极管(D1)的阳极接地。

3.根据权利要求2所述的³He管中子探头信号快速成形处理电路，其特征在于：所述的第二级放大电路包括二级放大器(U2)，二级放大器(U2)的正向输入经第三电阻(R7)连接到电解电容(C10)的正极上，二级放大器(U2)的反向输入端与输出端之间并联有第五电容(C6)和反馈电阻(R6)。

4.根据权利要求3所述的³He管中子探头信号快速成形处理电路，其特征在于：所述的第三级放大电路包括三级放大器(U3)，三级放大器(U3)的正向输入与第五电阻(R9)的一端相连，第五电阻(R9)的另一端分别与电解电容(C10)的正极以及第六电阻(R10)的一端相连，第六电阻(R10)的另一端接5.6V电源；三级放大器(U3)输出端分别与第二二极管(D2)的阳极以及第三二极管(D3)的阴极相连，第二二极管(D2)的阴极为信号输出端，且第二二极管(D2)的阴极通过第七电阻(R11)连接到三级放大器(U3)的反向输入端上；第三二极管(D3)的阳极连接到三级放大器(U3)的反向输入端上。

5.根据权利要求4所述的³He管中子探头信号快速成形处理电路，其特征在于：所述的一级放大器(U1)的输出端经串联的第四电容(C5)和第二电阻(R5)连接至二级放大器(U2)的反向输入端上；二级放大器(U2)的输出端经串联的隔直电容(C7)和第四电阻(R8)连接至三级放大器(U3)的反向输入端上。

6.根据权利要求5所述的³He管中子探头信号快速成形处理电路，其特征在于：所述的一级放大器(U1)、二级放大器(U2)以及三级放大器(U3)的7引脚接+12V电源(VCC)，4引脚接地。

7.根据权利要求5或6所述的³He管中子探头信号快速成形处理电路，其特征在于：所述的一级放大器(U1)采用OP42运算放大器，二级放大器(U2)和三级放大器(U3)均采用OP37运算放大器。

8.根据权利要求2至6任意一项所述的³He管中子探头信号快速成形处理电路，其特征在于：所述的调节电阻(R4)的阻值为1MΩ，第三电容器(C3)的容值为1pF。

9.根据权利要求2至6任意一项所述的³He管中子探头信号快速成形处理电路，其特征在于：所述的第一二极管(D1)采用FD300二极管。

10.根据权利要求4至6任意一项所述的³He管中子探头信号快速成形处理电路，其特征在于：所述的第二二极管(D2)和第三二极管(D3)均采用1N4148二极管。