[发明专利]一种晶硅太阳能电池钝化工艺中的硅片表面处理方法

权利要求书

1.一种晶硅太阳能电池钝化工艺中的硅片表面处理方法，其特征在于步骤如下：

步骤1，将实施硼扩散工艺之后的硅片放入去BSG湿法化学刻蚀设备中，分别准备一次处理液和二次处理液，所述一次处理液和二次处理液分别准备在1号刻蚀溶液槽和2号刻蚀溶液槽中；所述一次处理液由HF、H₂SO₄、HNO₃按质量百分比10：20~35：5~15的配比形成；所述二次处理液由浓度0.5~3%的HF溶液形成；

步骤2，硅片依次经过一次处理液和二次处理液进行刻蚀，经过一次处理液的刻蚀时间为3-5分钟，经过二次处理液的刻蚀时间为5~6分钟，反应温度均为室温条件；

步骤3，最后将硅片进行去离子水冲洗和空气吹干，利用原子层沉积设备制备Al₂O₃钝化薄膜，然后利用等离子体增强化学气相沉积设备制备SiN_X钝化减反射薄膜。

2.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池钝化工艺中的硅片表面处理方法，其特征在于：所述方法适用于在硼、磷扩散工艺和钝化工艺之间。

3.根据权利要求1所述的晶硅太阳能电池钝化工艺中的硅片表面处理方法，其特征在于：所述方法适用钝化工艺的Al₂O₃单层、Al₂O₃/SiN_X双层钝化薄膜。