[发明专利]一种抗电势诱导衰减的太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201410595682.5 | 申请日： | 2014-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN104362188B | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 石强;秦崇德;方结彬;黄玉平;何达能 | 申请（专利权）人： | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/04;H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司44202 | 代理人： | 温旭 |
| 地址： | 528100 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电势 诱导 衰减 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种抗电势诱导衰减的太阳能电池，包括背面电极、背面电场、P型硅、N型发射极、第一氧化硅层、氮化硅层、第二氧化硅层和正面电极，其特征在于，所述第一氧化硅层、氮化硅层、第二氧化硅层依次设于所述N型发射极之上；所述第一氧化硅层的折射率为2.9-3.0；所述氮化硅层的折射率为2.11-2.15，所述第二氧化硅层的折射率为1.4-1.7；
所述第一氧化硅层的厚度为8-12nm；
所述氮化硅层的厚度为55-60nm；
所述第二氧化硅层的厚度为12-15nm；
所述第一氧化硅层通过PECVD设备中通入N2O和SiH4制得，反应温度为380-450℃，沉积时间5-100s， N2O和SiH4的流量比为0.1-1:3-10；
所述氮化硅层通过PECVD设备中通入NH3和SiH4制得，反应温度为380-460℃，沉积时间500-800s，SiH4和NH3的流量比为0.1-0.3:1；
所述第二氧化硅层通过PECVD设备中通入N2O和SiH4制得，反应温度为380-450℃，沉积时间10-100s， N2O和SiH4的流量比为1:0.5 -5。
2.如权利要求1所述的抗电势诱导衰减的太阳能电池，其特征在于，所述背面电极和正面电极为Ag电极，所述背面电场为Al背场。
3.一种抗电势诱导衰减的太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
在硅片正面形成绒面，所述硅片为P型硅；
在所述硅片正面进行扩散，形成N型发射极；
去除扩散过程形成的磷硅玻璃；
在N型发射极的正面使用PECVD设备，通入N2O和SiH4制得折射率为2.9-3.0的第一氧化硅层，其中，反应温度为380-450℃，沉积时间5-100s， N2O和SiH4的流量比为0.1-1:3-10；
在第一氧化硅层的正面使用PECVD设备，通入NH3和SiH4制得折射率为2.11-2.15的氮化硅层，其中，反应温度为380-460℃，沉积时间500-800s，SiH4和NH3的流量比为0.1-0.3:1；
在氮化硅层的正面使用PECVD设备，通入N2O和SiH4制得折射率为1.4-1.7的第二氧化硅层，反应温度为380-450℃，沉积时间10-100s， N2O和SiH4的流量比为1:0.5 -5；
在所述硅片背面形成背面电场和背面电极；
在所述硅片正面形成正面电极；
将所述硅片进行烧结；
所述第一氧化硅层的厚度为8-12nm；
所述氮化硅层的厚度为55-60nm；
所述第二氧化硅层的厚度为12-15nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东爱康太阳能科技有限公司，未经广东爱康太阳能科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410595682.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
