[发明专利]光致酸生成剂、光刻胶、以及形成电子器件的方法

说明书

一种具有通式(1)的光致酸生成剂化合物：其中a,b,c,d,e,x,L¹,L²,L³,L⁴,R¹,R²,X和Z^‑如文中所定义。所述光致酸生成剂化合物在通常用于配制光刻胶组合物的溶剂和负性色调显影剂中具有良好的溶解性。本文还描述了一种包括光致酸生成剂化合物的光刻胶组合物，包括所述光刻胶组合物的经涂覆的基材，以及使用该光刻胶组合物形成器件的方法。

技术领域

本发明涉及光致酸生成剂及其在光刻胶组合物中的用途。

背景技术

为了形成越来越小的逻辑和存储晶体管，人们开发了先进的光刻技术，例如193纳米浸没光刻法来实现微光刻工艺中的高质量和较小的特征尺寸。在微光刻工艺中使用的成像的光刻胶中实现较小的临界尺寸(CD)，并且使得所述光刻胶提供改进的线条宽度粗糙度(LWR)或接触孔尺寸均一性，同时仍然具有良好的工艺控制容差，例如高曝光宽容度(EL)是重要的。低掩模误差因子(MEF)也很重要，所述掩模误差因子被定义为溶解的抗蚀剂图案上的临界尺寸(CD)变化与掩模图案上尺寸变化之比。

光致酸生成剂是用来对辐照响应而产生质子的。基于鎓盐的光致酸生成剂的阳离子通常是高度疏水性的，这是一种使光致酸生成剂在负性色调显影剂(negative tonedeveloper)中溶解性很差的性质，所述负性色调显影剂是例如乙酸正丁基酯、2-庚酮、丙酸正丁基酯或由上述溶剂构成的混合物。由于潜在图像的曝光后稳定性较低，将此类光致酸生成剂用于正性色调显影(PTD)光刻法的光刻胶中是不利的，这将导致光刻胶图案的劣化。此外，使用此类疏水性鎓盐会抑制光刻胶在碱性显影液中的溶解。本领域需要具有以下特性的光致酸生成剂，该光致酸生成剂在负性色调显影剂中溶解性高，并且在曝光和曝光后烘烤处理时溶解性变得很差。由于这些溶解性特性对于实现改进的临界尺寸均一性很重要，因此这类光致酸生成剂还对形成负性色调显影(NTD)光刻法的光刻胶非常有益。

发明内容

一种实施方式是具有通式(1)的光致酸生成剂化合物：