[发明专利]SRAM型FPGA中子单粒子效应试验方法

说明书

技术领域

本发明涉及单粒子效应试验技术领域，尤其涉及一种SRAM型 FPGA中子单粒子效应试验方法。

背景技术

SRAM(StaticRAM，静态的随机存取存储器)型FPGA(Field－ ProgrammableGateArray，现场可编程门阵列)是机载电子设备的关键 核心器件，该类器件在3km～20km的飞行高度中会遇到大约每小时每平 方厘米300～18000个1MeV～1000MeV的高能大气中子，产生单粒子效 应，诱发机载电子设备产生大气中子单粒子软错误与硬故障，给机载 电子设备带来安全隐患。

为提高机载电子设备的安全性，需要预先对SRAM型FPGA中子 单粒子效应进行试验，国内目前采用14MeV能量的中子对SRAM型 FPGA进行地面模拟试验，以获得敏感截面数据，为了确保得到试验结 果的科学正确性，如何有效的对SRAM型FPGA中子单粒子效应进行 试验是目前亟待解决的问题。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是提供一种SRAM型FPGA中子单粒子 效应试验方法，能够有效的对SRAM型FPGA中子单粒子效应进行试 验。

(二)技术方案

为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供了一种SRAM型 FPGA中子单粒子效应试验方法，包括：

S1：配置SRAM型FPGA，在所述SRAM型FPGA中写入初始值， 回读所述SRAM型FPGA中的写入值得到第一回读结果；

S2：进行辐照，辐照第一预设的注量后，回读所述SRAM型FPGA 中的写入值得到第二回读结果，将第二回读结果与第一回读结果比较， 统计发生的错误数；

S3：重复步骤S2直至统计发生的错误数达到预设的错误数或者当 前辐照的总注入量达到第二预设的注量时停止试验。

进一步地，所述预设的错误数为90～110之间的任意值。

进一步地，所述第二预设的注量为10⁸n/cm²～10¹⁰n/cm²之间的任 意值。

进一步地，在步骤S2中，辐照第一预设的注量后还包括：

记录所述SRAM型FPGA的当前功耗电流，并判断所述当前功耗 电流是否超出预设的功耗电流范围。

进一步地，在步骤S2中，辐照第一预设的注量后还包括：

记录所述SRAM型FPGA的当前工作电压，并判断所述当前工作 电压是否超出预设的工作电压范围。

(三)有益效果

本发明实施方式提供的SRAM型FPGA中子单粒子效应试验方 法，通过将辐照后的回读结果与辐照前的回读结果相比较，统计得到 发生的错误数，直至错误数达到预设的错误数或者总注入量达到第二 预设的注量时停止试验，从而能够有效的对SRAM型FPGA中子单粒 子效应进行试验，提高其试验结果的准确性。

附图说明

图1是本发明实施方式提供的一种SRAM型FPGA中子单粒子效 应试验方法的流程图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细 描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。

图1是本发明实施方式提供的一种SRAM型FPGA中子单粒子效 应试验方法的流程图，包括：

S1：配置SRAM型FPGA，在所述SRAM型FPGA中写入初始值， 回读所述SRAM型FPGA中的写入值得到第一回读结果；

S2：进行辐照，辐照第一预设的注量后，回读所述SRAM型FPGA 中的写入值得到第二回读结果，将第二回读结果与第一回读结果比较， 统计发生的错误数；

S3：重复步骤S2直至统计发生的错误数达到预设的错误数或者当 前辐照的总注入量达到第二预设的注量时停止试验。其中，所述第二 预设的注量大于第一预设的注量。

其中，所述预设的错误数为90～110之间的任意值，例如，该预设 的错误数可以为100。